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염료 감응형 태양 전지의 촉매 전극에 있어서,투명 기판; 및상기 투명 기판의 표면에 코팅되는 촉매층을 포함하며,상기 촉매층은, 금속 실리사이드를 포함하는 촉매 전극
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제1항에 있어서, 상기 촉매층은,상기 투명 기판 위에 2 이상의 금속을 적층한 후, 적층된 금속을 열처리하여 생성되는 금속 실리사이드 촉매 전극
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제2항에 있어서,상기 열처리는, RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, 마이크로 웨이브(Microwave) 공정, 고주파 가열(Induction heating) 공정 중 어느 하나의 공정에 의하는 촉매 전극
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제2항에 있어서, 상기 적층은,실리콘(Si) 외에 백금(Pt), 코발트(Co), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 철(Fe), 하프늄(Hf) 및 이들의 합금 중 적어도 하나 이상을 적층하는 촉매 전극
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제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는,PtSi계, CoSi계, NiSi계, PdSi계, WSi계, IrSi계, FeSi계, HfSi계 중 어느 하나를 포함하는 촉매 전극
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제2항에 있어서,상기 투명 기판은, 유리 기판이며,상기 열처리에 의해 생성된 금속 실리사이드가 NiSi인 경우 상기 열처리의 온도는 500도 이하이며,상기 열처리에 의해 생성된 금속 실리사이드가 NiSi2인 경우 상기 열처리 온도는 700도에서 900도 사이의 값인 촉매 전극
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제1항에 있어서, 상기 촉매층의 두께는,1㎛이하인 촉매 전극
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제1항에 있어서,상기 투명 기판은,산화물, 질화물, 실리콘을 포함하는 무기물 또는 폴리이미드를 포함하는 유기물을 포함하는 촉매 전극
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제1항에 있어서,상기 촉매 전극의 표면은, 황산 또는 질산을 이용하여 클리닝되는 촉매 전극
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작동 전극;상기 작동 전극과 소정 거리 이격되어 배치되는 투명 기판;상기 작동 전극에 증착된 반도체 산화물;상기 반도체 산화물의 입자 표면에 흡착되는 염료;상기 투명 기판에 코팅된 촉매층;상기 반도체 산화물이 증착된 작동 전극 및 상기 촉매층이 코팅된 투명 기판의 외부를 감싸는 밀봉재; 및상기 밀봉재 내부에 주입되어 상기 작동 전극 및 상기 투명 기판 사이에 충진되는 전해질을 포함하며,상기 촉매층은, 금속 실리사이드를 포함하는 염료 감응형 태양 전지
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제10항에 있어서, 상기 촉매층은,상기 투명 기판 위에 2 이상의 금속을 적층한 후, 적층된 금속을 열처리하여 생성되는 금속 실리사이드 촉매 전극을 포함하는 염료 감응형 태양 전지
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제11항에 있어서,상기 열처리는, RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, 마이크로 웨이브(Microwave) 공정, 고주파 가열(Induction heating) 공정 중 어느 하나의 공정에 의하는 염료 감응형 태양 전지
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제11항에 있어서, 상기 적층은,실리콘(Si) 외에 백금(Pt), 코발트(Co), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 철(Fe), 하프늄(Hf) 및 이들의 합금 중 적어도 하나 이상을 적층하는 염료 감응형 태양 전지
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제10항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는,PtSi계, CoSi계, NiSi계, PdSi계, WSi계, IrSi계, FeSi계, HfSi계 중 어느 하나를 포함하는 염료 감응형 태양 전지
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제11항에 있어서,상기 투명 기판은, 유리 기판이며,상기 열처리에 의해 생성된 금속 실리사이드가 NiSi인 경우 상기 열처리의 온도는 500도 이하이며,상기 열처리에 의해 생성된 금속 실리사이드가 NiSi2인 경우 상기 열처리 온도는 700도에서 900도 사이의 값인 염료 감응형 태양 전지
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제10항에 있어서, 상기 촉매층의 두께는,1㎛이하인 염료 감응형 태양 전지
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제10항에 있어서,상기 투명 기판은,산화물, 질화물, 실리콘을 포함하는 무기물 또는 폴리이미드를 포함하는 유기물을 포함하는 염료 감응형 태양 전지
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제10항에 있어서,상기 작동 전극의 표면에는 역 전자전달 반응을 억제하기 위한 블록킹막이 형성된 염료 감응형 태양 전지
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