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전극 재료 및 그 제조 방법(Electrode materials and method for manufacturing same)

  • 기술번호 : KST2017008737
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 산화물을 준비하는 단계, 상기 실리콘 산화물의 적어도 일부를 환원하여, 실리콘 산화물 입자 및 실리콘 입자가 응집된 응집체를 포함하는 제1 복합체(first composite)를 제조하는 단계, 상기 제1 복합체의 상기 실리콘 산화물 입자를 선택적으로 제거하여, 상기 실리콘 입자가 응집된 응집체를 포함하는 제2 복합체(second composite)를 제조하는 단, 및 상기 제2 복합체 및 탄소 재료(carbon material)를 건식 혼합화(dry mixing) 및 냉간 용접(cold welding)하여 제3 복합체(third composite)를 제조하는 단계를 포함하는 전극 재료의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL H01M 4/38 (2016.01.05) H01M 4/587 (2016.01.05) H01M 4/36 (2016.01.05) H01M 4/134 (2016.01.05) H01M 4/133 (2016.01.05)
CPC H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01)
출원번호/일자 1020150160956 (2015.11.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0057887 (2017.05.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선양국 대한민국 서울 강남구
2 이주형 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1118735-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0029257-48
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0977473-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0153779-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0417610-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0417609-43
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0683981-76
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1070522-10
10 법정기간연장승인서
 2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0155742-22
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-5025273-06
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-5025274-41
13 보정요구서
Request for Amendment		 2017.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0178761-73
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2017.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1239424-07
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0027848-37
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 산화물을 준비하는 단계;상기 실리콘 산화물의 적어도 일부를 환원하여, 실리콘 산화물 입자 및 실리콘 입자가 응집된 응집체를 포함하는 제1 복합체(first composite)를 제조하는 단계;상기 제1 복합체의 상기 실리콘 산화물 입자를 선택적으로 제거하여, 상기 실리콘 입자가 응집된 제1 응집체를 포함하는 제2 복합체(second composite)를 제조하는 단계; 및상기 제2 복합체 및 탄소나노튜브(carbon nanotube)를 건식 혼합화(dry mixing) 및 냉간 용접(cold welding)을 통해, 파괴(fracturing) 및 재응집(re-aggregation)시켜 제3 복합체(third composite)를 제조하는 단계를 포함하되,상기 제2 복합체의 상기 제1 응집체에 포함된 상기 실리콘 입자는, 상기 건식 혼합화 및 냉간 용접 공정에서, 나노 실리콘 입자로 파괴되고,상기 제3 복합체는, 상기 나노 실리콘 입자가 재응집된 제2 응집체, 및 상기 제2 응집체의 표면에 부착되고, 상기 제2 응집체 내부에 침투된 상기 탄소나노튜브를 포함하는 전극 재료의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제3 복합체에서 상기 탄소나노튜브는 15wt%이고,상기 건식 혼합화는, 믹서밀을 이용하여, 진동수 20Hz에서, 30분 동안 수행되는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 복합체를 제조하는 단계는,상기 실리콘 산화물을 열처리(thermal treatment)하여, 상기 실리콘 산화물의 적어도 일부가 상기 실리콘 입자로 환원되는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 제2 복합체를 제조하는 단계는,습식 식각 공정(Wet etching)에 의해 상기 제1 복합체의 상기 실리콘 산화물 입자가 제거되고, 상기 제1 복합체의 상기 실리콘 입자가 잔존하는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 제2 복합체는, 상기 실리콘 산화물 입자가 제거되면서 형성된 공동(void, 空洞), 및 잔존하는 상기 실리콘 입자의 응집체를 포함하는 전극 재료의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제1 항에 있어서,상기 제3 복합체를 제조하는 단계는,상기 제2 복합체 및 상기 탄소나노튜브를 건식 혼합화 및 냉간 용접하여, 상기 탄소나노튜브가 상기 실리콘 입자의 응집체에 부착되거나, 상기 탄소나노튜브의 적어도 일부가 상기 실리콘 입자의 응집체 내부로 삽입되는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 제3 복합체를 제조하는 단계는, 상기 제2 복합체 및 상기 탄소나노튜브를 스펙스밀(spex mill) 또는 믹서밀(mixer mill) 하는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 스펙스밀 또는 상기 믹서밀의 진동 수 및/또는 믹싱 시간(mixing time)이 증가함에 따라, 상기 탄소나노튜브의 크기가 감소하는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
10 10
제8 항에 있어서,상기 스펙스밀 또는 상기 믹서밀의 진동 수 및/또는 믹싱 시간(mixing time)이 증가함에 따라, 제조되는 상기 제3 복합체의 크기가 감소하는 것을 포함하는 전극 재료의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108352518 CN 중국 FAMILY
2 EP03379618 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US20180261836 US 미국 FAMILY
4 WO2017086684 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108352518 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3379618 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP3379618 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 US2018261836 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2017086684 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 도약연구(전략-후속연구지원) 맞춤형 설계된 나노레벨 복합 구조의 다기능성 차세대리튬이차전지 소재개발