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제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 제1 도전형의 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 상기 제 2면에 선택적으로 나노구조체(nanostructure)를 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 평평한 상기 제1 면을 제2 도전형의 도펀트(dopant)로 도핑(doping)하고 상기 나노구조체가 형성된 상기 제2 면을 제1 도전형의 도펀트로 도핑하여, 상기 나노구조체를 갖는 상기 제1 도전형의 고농도 제1 반도체층, 상기 고농도 제1 반도체층보다 상기 제1 도전형의 도핑 농도가 낮은 상기 제1 도전형의 저농도 제1 반도체층, 및 상기 제2 도전형의 제2 반도체층이 차례로 적층된 상기 실리콘 기판 내에 P-N 접합 구조를 형성하는 단계;상기 나노구조체의 형상을 따라 금속 산화물막을 콘포말하게 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판의 상기 제1 면 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 금속 산화물막의 두께에 따라서 캐리어 수집율이 제어되는 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화물막은, 아연 산화물막인 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 금속 산화물막의 두께는, 7
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체 상에 상기 금속 산화물막을 형성하는 단계는, 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 공정을 이용하는 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 나노구조체의 길이에 따라서, 상기 실리콘 기판의 상기 P-N 접합구조에서 생성된 캐리어의 수명이 조절되되,상기 나노구조체의 길이 방향은, 상기 실리콘 기판의 수직방향인 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상기 제2 면에 상기 나노구조체를 형성하는 단계는, 습식 식각(wet etching) 공정을 이용하는 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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평평한 상부면 및 상기 상부면에 대향하고 나노구조체가 형성된 하부면을 갖고, 제1 도전형의 제1 반도체층 및 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하되, 상기 제1 반도체층은 상기 나노구조체가 형성된 상기 하부면을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 평평한 상기 상부면을 포함하는 실리콘 기판;상기 상부면 상의 반사 방지막; 및상기 나노구조체 상의 형상을 따라 콘포말하게 금속 산화물막을 포함하되, 상기 제1 반도체층은, 상기 나노구조체를 갖는 고농도 제1 반도체층; 및상기 고농도 제1 반도체층보다 상기 제1 도전형의 도핑 농도가 낮고, 상기 고농도 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 저농도 제1 반도체층을 포함하고, 상기 금속 산화물막의 두께에 따라서 캐리어 수집율이 제어되는 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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삭제
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제7 항에 있어서,상기 실리콘 기판으로 조사되는 광에 의해, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 및 제2 반도체층에 의해 형성된 P-N 접합 구조에서 캐리어가 생성되고, 상기 금속 산화물막은 상기 캐리어의 재결합을 방지하는 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제9 항에 있어서,상기 나노구조체의 길이에 따라서, 상기 실리콘 기판의 상기 P-N 접합구조에서 생성된 상기 캐리어의 수명이 조절되되,상기 나노구조체의 길이 방향은, 상기 실리콘 기판의 수직방향인 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제10 항에 있어서,상기 나노구조체의 길이가 감소할수록, 상기 캐리어의 수명이 증가하는 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제7 항에 있어서,상기 반사방지막은, 상기 실리콘 기판의 상기 상부면에 도달되는 광의 반사도를 낮추는 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제7 항에 있어서,상기 금속 산화물막은, 아연 산화물막인 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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