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III-V족 반도체 소자 및 그 제조 방법(III-V semiconductor device and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017008763
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 III-V족 반도체 소자는, 기판 상에 배치된 반도체층 적층 구조; 상기 반도체층 적층 구조 상에서 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 반도체층 적층 구조 상에서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 적층 구조 사이에 배치되며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제1 패시베이션층; 상기 반도체층 적층 구조 및 상기 게이트 전극을 커버하도록 배치되며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제2 패시베이션층; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 커버하며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제3 패시베이션층;을 포함한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170050720 (2017.04.20)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0054337 (2017.05.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0010022 (2015.01.21)
관련 출원번호 1020150010022
심사청구여부/일자 Y (2017.04.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남영 대한민국 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이여송 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 *** 포스코P&S타워 **층(아이피드림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0385541-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0433567-99
3 보정요구서
Request for Amendment
2017.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0060143-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0454321-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0782413-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0782556-83
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0910529-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0085852-12
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0085858-96
10 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0016678-61
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0139197-61
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2018.05.04 수리 (Accepted) 7-8-2018-0010339-79
13 등록결정서
Decision to grant
2019.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0922426-12
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번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 반도체층 적층 구조; 상기 반도체층 적층 구조 상에서 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 반도체층 적층 구조 상에서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 반도체층 적층 구조 사이에 배치되며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제1 패시베이션층; 상기 반도체층 적층 구조 및 상기 게이트 전극을 커버하도록 배치되며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제2 패시베이션층; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 각각 형성된 소스 패드 및 드레인 패드; 및상기 제2 패시베이션층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극, 상기 소스 패드 및 상기 드레인 패드들을 커버하며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제3 패시베이션층;을 포함하며,상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층이 SU-8 포토레지스트를 포함함에 따라, 드레인 전류 붕괴(collapse) 형상, 및 핀치 오프 상태에서의 누설 전류 발생 및 소스와 드레인 사이의 항복전압 특성 저하 현상을 방지하고, 상기 제3 패시베이션층은 노출된 상기 소스 패드, 상기 드레인 패드의 구성요소들이 외부로부터의 기계적 충격 또는 습기에 의해 손상되는 것을 방지하며, 상기 게이트 전극은, 상기 반도체층 적층 구조와 접촉하며 제1 폭(W1)을 갖는 제1 부분, 및 상기 제1 부분 상부에 배치되며, 상기 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 갖는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 패시베이션층은 상기 게이트 전극의 상기 제1 부분의 측면과 접촉하며, 상기 소스 전극은 상기 게이트 전극 상부까지 연장하여 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극이 오버랩되며, 상기 게이트 전극 및 상기 소스 전극 사이에 상기 제2 패시베이션층이 개재되는(interposed) 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제2 패시베이션층은 상기 게이트 전극의 제2 부분의 상면 및 측면들을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 하부 폭이 제1 폭(W1)을 갖고, 상부 폭이 제2 폭(w2)을 갖는 감마 형상으로써, 상부 폭(W2)이 하부 폭(W1)보다 큰 감마(Γ) 형상을 갖는 감마 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상부 폭(W2)이 하부 폭(W1)보다 큰 T 형상을 갖는 T-형 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020160090122 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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