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고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법(fNIR Photo-Detector for high resolution brain imaging and the Fabrication Method Thereof)
- 기술번호 : KST2017008870
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디텍터소자의 표면을 피라미드 형태로 에칭함으로써 표면에 조사된 빛의 반사율을 개선함으로써 여러 각도에서 균일하게 빛에 반응할 수 있으며, 나노크리스탈층을 형성하여 사용자가 강화하고 싶은 빛의 영역대를 선택할 수 있도록 하여 흡수파장 조절이 가능하게 함으로써 인체에서 발생하는 근적외선을 안정적이면서 정밀하게 검출할 수 있는 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 선기능근적외 디텍터소자는 기판층; 상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층;을 포함하고, 상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | A61B 5/00 (2015.12.11) |
| CPC | A61B 5/0075(2013.01) A61B 5/0075(2013.01) A61B 5/0075(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020150152079 (2015.10.30) |
| 출원인 | 재단법인대구경북과학기술원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2017-0050487 (2017.05.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.10.30) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인대구경북과학기술원 | 대한민국 | 대구 달성군 현 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종수 | 대한민국 | 대구광역시 달서구 |
| 2 | 나현수 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인대구경북과학기술원 | 대구 달성군 현 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2015.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1057896-39 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2016.09.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2016.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2016-0046145-87 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0860398-85 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2017.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0098364-13 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2017.02.28 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2017-0203233-72 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2017.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0203276-24 |
| 8 | 보정요구서 Request for Amendment |
2017.03.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0032901-90 |
| 9 | [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2017.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0253164-25 |
| 10 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2017.03.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0035900-69 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2017.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0302256-66 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.04.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0407221-53 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0407220-18 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2017.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0602758-79 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5260250-39 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5134633-04 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기능근적외선용 디텍터소자에 있어서, 기판층;상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층;을 포함하고,상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되고, 상기 나노크리스탈층은 상기 피라미드 형태의 기판 상부표면의 골짜기 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 기판층은 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판이고,상기 실리콘 기판의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 4 |
4 제1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 6 |
6 제1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 600 ~750 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 8 |
8 제1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 830nm 이상 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 10 |
10 제1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 800 ~ 900 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 |
| 12 |
12 기능근적외선용 디텍터소자의 제조방법에 있어서,기판층을 형성하는 단계; 및상기 기판층 상에 형성되는 나노크리스탈층을 형성하는 단계;포함하고,상기 기판형성단계에서는 상기 기판층의 상부표면을 피라미드 형태로 형성하고, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 상기 피라미드 형태의 기판층 상부표면의 골짜기 부분에 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 13 |
13 삭제 |
| 14 |
14 제 12항에 있어서, 상기 기판층형성단계는 상기 기판을 p-i-n 접합구조를 갖는 실리콘 기판층으로 형성하고, 상기 실리콘 기판층의 활성면인 p층의 표면을 에칭하여 피라미드 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 15 |
15 제 12항 또는 제 14항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 17 |
17 제 12항 또는 제 14항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 690nm 이하 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/ZnS/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, CuInS2, CuInS2/ZnS, CuInS2/ZnSe, CuZnInS2, CsPbBr3, CsPbI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 19 |
19 제 12항 또는 제 14항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 830nm 이상 파장의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 21 |
21 제 12항 또는 제 14항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 800 ~ 900 nm 파장대의 빛에 대하여 높은 흡광 특성을 갖는 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 22 |
22 제 21항에 있어서, 상기 나노크리스탈층 형성단계에서는 PbS, PbSe, PbTe, PbS/CdS, PbSe/CdSe, PbTe/CdTe, PbS/PbSe, PbS/PbTe, InAs, InAs/ZnS, InAs/ZnSe, InSb, InSb/ZnS, CsSnBr3, CsSnI3, CsGeBr3, CsGeI3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질로 상기 나노크리스탈층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분해능 뇌 이미징을 위한 기능근적외선용 디텍터소자 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 대구경북과학기술원 | 일반사업(지정) | 뇌매핑 기반의 로봇재활 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2015.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1057896-39 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2016.09.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2016.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2016-0046145-87 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2016.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0860398-85 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2017.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0098364-13 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2017.02.28 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2017-0203233-72 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2017.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0203276-24 |
| 8 | 보정요구서 | 2017.03.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0032901-90 |
| 9 | [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2017.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0253164-25 |
| 10 | 무효처분통지서 | 2017.03.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0035900-69 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2017.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0302256-66 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.04.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0407221-53 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0407220-18 |
| 14 | 등록결정서 | 2017.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0602758-79 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5260250-39 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5134633-04 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1711029342 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 15-BD-0401 |
| 연구과제명 | 뇌매핑 기반의 로봇재활 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2015 |
| 연구기간 | 201201~201912 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
특허성과
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