맞춤기술찾기

이전대상기술

나노와이어 번들 어레이, 광대역의 초고성능 옵티컬 필름 및 그 제조 방법(NANOWIRE BUNDLE ARRAY, BROADBAND AND ULTRAHIGH OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017008936
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은 광전 소자 시스템 및 광학 시스템의 광 특성을 향상시키기 위한 옵티컬 헤이즈의 제어가 가능한 나노와이어 번들 어레이, 광대역의 초고성능 옵티컬 필름 및 그 제조 방법을 제시한다.
Int. CL G02B 6/10 (2015.12.23)
CPC G02B 6/107(2013.01) G02B 6/107(2013.01)
출원번호/일자 1020150152643 (2015.10.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0050737 (2017.05.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.30)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 강남구
2 강구민 대한민국 서울특별시 서대문구
3 배규영 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1060203-02
2 보정요구서
Request for Amendment
2015.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0172946-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1110539-33
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1271484-07
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0150949-02
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0003100-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0161601-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0161587-44
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0395888-05
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0609858-08
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0609885-20
13 등록결정서
Decision to grant
2017.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0643255-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나 이상의 나노와이어로 구성되고 일단에서 타단으로 갈수록 폭이 점진적으로 줄어드는 모폴로지(morphology)를 갖는 나노와이어 집합체를 포함하고,상기 나노와이어 집합체는 다수개가 소정 간격 이격되어 배치되며,상기 모폴로지가 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어로 구성되는 나노와이어 집합체 단위의 펀넬 구조(funnel structure)를 포함하고,상기 모폴로지에 기반한 광의 산란(scattering)을 통하여 옵티컬 헤이즈(optical haze) 값을 제어하는 나노와이어 번들 어레이
2 2
제1항에 있어서,상기 모폴로지는상기 적어도 하나 이상의 나노와이어 중 어느 하나와, 다른 나노와이어 사이에 존재하는 모세관력(capillary force)에 의해 자가응집(self-aggregated)되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
3 3
제2항에 있어서,상기 모폴로지는상기 적어도 하나 이상의 나노와이어 간 유체의 표면장력에 의해 유도된 모세관력에 의해 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어 중 일부가 서로 대향하게 구부러지면서(bending toward) 응집되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
4 4
제1항에 있어서,상기 나노와이어 번들 어레이는복수의 나노-보이드(nano-void) 및 복수의 나노-리지(nano-ridge)를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 번들 어레이
5 5
제1항에 있어서,상기 펀넬 구조는 마이크로스케일(microscale) 크기로 형성되어 마이크로 스케일(microscale)의 이격 거리로 다수개가 배치되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 번들 어레이
6 6
제1항에 있어서,상기 모폴로지는상기 적어도 하나 이상의 나노와이어 중 어느 하나는 임의의 방향으로 쓰러지고, 다른 나노와이어에 의하여 지지되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
7 7
제1항에 있어서,상기 모폴로지는상기 적어도 하나 이상의 나노와이어 중 적어도 하나는 휘어진 상태로 다른 나노와이어와 결합되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
8 8
제1항에 있어서,상기 모폴로지는상기 나노와이어 집합체의 상단은 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어가 뭉쳐져 있고, 상기 나노와이어 집합체의 하단은 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어가 서로 이격 배치되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
9 9
제1항에 있어서,상기 나노와이어 집합체는점착 기판의 상부에 부착되어 분리 가능한 것을 특징으로 하는 나노와이어 번들 어레이
10 10
제1항에 있어서,상기 나노와이어 번들 어레이는상기 광의 투과 및 확산을 제어하여 광전 소자, 광열 소자 및 광학 소자 중 적어도 하나 이상의 효율을 증진시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 번들 어레이
11 11
제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 나노와이어는 알루미나(Al2O3) 및 이산화티탄(TiO2) 중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 나노와이어 번들 어레이
12 12
제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 나노와이어의 각각의 길이는 100nm 내지 50μm인 나노와이어 번들 어레이
13 13
제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 나노와이어의 각각의 굵기는 10nm 내지 70nm인 나노와이어 번들 어레이
14 14
제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 나노와이어의 각각의 일단 사이의 간격은 500nm 이하인 나노와이어 번들 어레이
15 15
제1항에 있어서,상기 나노와이어 집합체의 높이는 100nm 내지 30μm인 나노와이어 번들 어레이
16 16
베이스기판; 및상기 베이스기판 상에 다수개가 소정 간격 이격되어 배치되는 나노와이어 집합체를 포함하고,상기 나노와이어 집합체는 적어도 하나 이상의 나노와이어를 포함하며, 상기 베이스기판과 접촉하는 일단에서 타단으로 갈수록 폭이 점진적으로 줄어드는 모폴로지를 갖고, 상기 모폴로지가 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어로 구성되는 나노와이어 집합체 단위의 펀넬 구조(funnel structure)를 포함하며,광의 투과 및 확산을 제어하여 광전 소자, 광열 소자 및 광학 소자 중 적어도 하나 이상의 광 효율을 증진시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 번들 어레이
17 17
제16항에 있어서,상기 모폴로지는상기 적어도 하나 이상의 나노와이어 중 어느 하나와, 다른 나노와이어 사이에 존재하는 모세관력(capillary force)에 의해 자가응집(self-aggregated)되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
18 18
제16항에 있어서,상기 모폴로지는상기 나노와이어 집합체의 상단은 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어가 뭉쳐져 있고, 상기 나노와이어 집합체의 하단은 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어가 서로 이격 배치되어 형성되는 나노와이어 번들 어레이
19 19
삭제
20 20
베이스기판에 전해연마를 실시하는 단계;상기 베이스기판에 대해 양극산화하여 상기 베이스기판 상에 적어도 하나 이상의 나노와이어를 형성하는 단계;상기 적어도 하나 이상의 나노와이어에 대한 포어(pore)를 확장시키는 단계;상기 포어가 확장된 적어도 하나 이상의 나노와이어에 대한 자가응집(self-aggregated) 제어를 통하여 일단에서 타단으로 갈수록 폭이 점진적으로 줄어드는 모폴로지(morphology)를 갖는 나노와이어 집합체를 형성하는 단계를 포함하는 나노와이어 번들 어레이의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06351644 JP 일본 FAMILY
2 JP29083809 JP 일본 FAMILY
3 US09791602 US 미국 FAMILY
4 US20170123115 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2017083809 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6351644 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2017123115 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9791602 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.