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전사 기판 상에 패터닝된 전극층을 리시버 기판에 직접 프린팅 공정을 통해 전사하여, 반도체 소자를 제조하는 방법으로서,플렉서블한 전사 기판을 준비하는 단계;상기 전사 기판 상에 금속 산화물 층을 형성하는 단계;포토리쏘그래피 프로세스를 포함하는 패터닝 공정을 이용하여 상기 금속 산화물 층 상에 마이크로미터 크기의 간격을 갖는 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴의 전극 사이에 실리콘 나노와이어를 정렬하는 단계;반도체 요소가 구비된 경질 또는 플렉서블한 리시버 기판에 점착성 물질의 층을 형성하는 단계;상기 실리콘 나노와이어가 정렬된 전사 기판을 상기 리시버 기판에 접촉하여 소정의 압력을 인가함으로써, 상기 전사 기판의 전극 패턴과 실리콘 나노와이어를 상기 전사기판으로부터 분리하여 상기 리시버 기판의 점착성 물질에 전사하는 단계를 포함하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 플렉서블한 전사 기판은 경질의 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 전사 단계에서 상기 전사 기판을 상기 경질의 베이스 기판으로부터 떼어낸 채 상기 리시버 기판에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 플렉서블한 전사 기판으로서 PI 또는 PET 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극으로서 Au를 이용하고, 상기 금속 산화물 층으로서, Al2O3, Nb2O5 또는 ZnO를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 전극 패턴의 전극 간격은 2 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어는 전기 영동(DEP) 프로세스를 통해 상기 전극 사이에 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 전극 패턴은 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체 요소는 게이트 전극과 게이트 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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8
청구항 7에 있어서, 상기 리시버 기판의 점착성 물질로서 PVP를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 리시버 기판에 PVP를 스핀 코팅한 후 베이킹 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제조하는 방법
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직접 프린팅 공정을 통해 리시버 기판에 전극 패턴을 전사하기 위한 전사 기판을 제조하는 방법으로서, 플렉서블한 전사 기판을 준비하는 단계;상기 전사 기판 상에 금속 산화물 층을 형성하는 단계;포토리쏘그래피 프로세스를 포함하는 패터닝 공정을 이용하여 상기 금속 산화물 층 상에 마이크로미터 크기의 간격을 갖는 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴의 전극 사이에 실리콘 나노와이어를 정렬하는 단계;를 포함하는 전사 기판 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 플렉서블한 전사 기판은 경질의 기판 상에 유지되는 것을 특징으로 하는 전사 기판 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 전사 기판으로서 PI 또는 PET 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 전사 기판 제조 방법
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13
청구항 10 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극 패턴의 전극으로서 Au를 이용하고, 상기 금속 산화물 층으로서, Al2O3, Nb2O5 또는 ZnO를 이용하는 것을 특징으로 하는 전사 기판 제조 방법
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청구항 13에 있어서, 상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 전극 패턴의 전극 간격은 2 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전사 기판 제조 방법
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청구항 14에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어는 전기 영동(DEP) 프로세스를 통해 상기 전극 사이에 정렬되는 것을 특징으로 하는 전사 기판 제조 방법
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직접 프린팅 공정을 통해 리시버 기판에 전극 패턴을 전사하는 데에 사용하기 위한 전사 기판으로서,상기 전사 기판은 PET 또는 PI 재질의 플렉서블한 기판이고,상기 전사 기판 상에 형성된 금속 산화물 층과;포토리쏘그래피 프로세스를 포함하는 패터닝 공정을 이용하여 상기 금속 산화물 층 상에 2 ㎛ 이하의 간격을 갖도록 형성된 Au 전극 패턴과;상기 전극 패턴의 전극 사이에 정렬된 실리콘 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판
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청구항 16에 있어서, 상기 전사 기판은 경질의 기판 상에 유지되고, 리시버 기판에의 전사시에 상기 경질의 기판에서 떼어내어 사용되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 기판
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청구항 16에 있어서, 상기 금속 산화물 층으로서, Al2O3 층이 이용되는 것을 특징으로 하는 전사 기판
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