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저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법(ReRAM and manufacture method thereof)

  • 기술번호 : KST2017008982
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 메모리 소자의 내구성과 유지성의 특성을 동시에 개선하는 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 마련된 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 마련된 스위칭층, 상기 스위칭층 상에 마련된 반응성 상부 전극을 포함하고, 상기 스위칭층은 상기 스위칭층에 형성되는 산소 공공의 양이 최대로 되도록 고압 수소 열처리된 구성을 마련하여, 충분한 양의 산소 공공을 상부 반응성 전극의 공정조건과 무관하게 형성할 수 있고, 이로 인해 상부 반응성 전극에 잔존하는 산소문제도 해결할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020150150038 (2015.10.28)
출원인 주식회사 에이치피에스피, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1781002-0000 (2017.09.18)
공개번호/일자 10-2017-0049097 (2017.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20170925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 송정환 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 경기도 수원시 권선구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1046794-23
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0168137-44
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-1076321-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0031483-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0240288-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0240289-29
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0619222-60
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0519504-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2020-5232298-77
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번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 상에 마련된 하부 전극,상기 하부 전극 상에 마련된 스위칭층,상기 스위칭층 상에 Ta로 이루어진 반응성 상부 전극, 및상기 반응성 상부 전극 상에 마련되는 캡 전극을 포함하고,상기 스위칭층은 상기 스위칭층에 형성되는 산소 공공의 양이 최대로 되도록 고압 수소 열처리된 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에서,상기 고압 수소 열처리는 150℃ ~ 400℃, 1~25atm의 H2 분위기에서 5~120분 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에서,상기 스위칭층은 전이금속산화물인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에서,상기 스위칭층은 TiOx, TaOx, HfOx, WOx, CuOx 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에서,상기 하부 전극과 기판 사이에 마련된 제1 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
6 6
(a) 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계,(b) 상기 하부 전극 상에 스위칭층을 형성하는 단계,(c) 상기 스위칭층에 형성되는 산소 공공의 양이 최대로 되도록 상기 스위칭층을 고압 수소 열처리하는 단계,(d) 상기 스위칭층 상에 Ta으로 이루어진 반응성 상부 전극을 형성하는 단계,(e) 상기 반응성 상부 전극 상에 캡 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
7 7
제6항에서,상기 고압 수소 열처리는 150℃ ~ 400℃, 1~25atm의 H2 분위기에서 5~120분 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.