맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

인을 포함하는 하이브리드 시스템이 도입된 비휘발성 메모리 특성 고분자 및 그 제조 방법, 이를 이용하는 메모리 소자(SYNTHESIS OF BRUSH POLYMER CONTAINING PHOSPHORUS HYBRID SYSTEM AND ITS PREPARATION FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE)

  • 기술번호 : KST2017009002
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상부 전극과 하부 전극 사이에서 주쇄에 인을 포함하는 고분자를 활성층으로 하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 소자는 하기 화학식(I) 로 이루어진 비휘발성 메모리 소자용 고분자이다. (I)상기 식에서 m은 반복 단위임.
Int. CL C08G 79/02 (2016.01.06) H01L 51/05 (2016.01.06) H01L 51/10 (2016.01.06)
CPC C08G 79/025(2013.01) C08G 79/025(2013.01) C08G 79/025(2013.01)
출원번호/일자 1020150162722 (2015.11.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0059061 (2017.05.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.19)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송성진 대한민국 대전광역시 서구
3 정성민 대한민국 경상남도 창원시
4 권경호 대한민국 대구광역시 동구
5 이진석 대한민국 경기도 부천시 소사구
6 윤현경 대한민국 서울특별시 노원구
7 위동우 대한민국 경상북도 김천시 지좌길
8 김용진 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1131127-73
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0180308-37
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2015.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-1167746-02
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0030836-09
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0280170-79
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0427625-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0427654-77
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0533471-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
하기 화학식 (Ⅱ)의 구조를 갖는 Poly(dibiphenyl-4-yl-phosphazene)를 활성층으로 가지며, 반복단위 m은 50~200인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리소자
10 10
하부 전극;상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및상기 유기활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하며,상기 유기 활성층은 하기 화학식 (Ⅱ)의 구조를 갖는 Poly(dibiphenyl-4-yl-phosphazene)를 활성층으로 가지며, 반복단위 m은 50~200인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 상부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
12 12
제10항에 있어서, 상기 하부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
13 13
제10항에 있어서, 고분자 활성층은 전극과 다이오드로 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 다이오드는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구_전략) 디지털 프로그램 비휘발성 메모리 고분자 나노소재 연구