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TM50Si50의 조성식으로 표현되고,TM은 합치 용융점 거동을 하는 B20 구조를 가진 전이금속-규소화합물 형성 전이금속 중 원자반경과 혼합엔탈피 유사도를 기준으로 선택된 4 주기 전이원소로,상기 TM이 Mn, Fe와 Co인 것을 특징으로 하는 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물
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TM50Si50의 조성식으로 표현되고,TM은 합치 용융점 거동을 하는 B20 구조를 가진 전이금속-규소화합물 형성 전이금속 중 원자반경과 혼합엔탈피 유사도를 기준으로 선택된 4 주기 전이원소로,상기 TM이 Mn, Fe와 Cr인 것을 특징으로 하는 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물
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TM50Si50의 조성식으로 표현되고,TM은 합치 용융점 거동을 하는 B20 구조를 가진 전이금속-규소화합물 형성 전이금속 중 원자반경과 혼합엔탈피 유사도를 기준으로 선택된 4 주기 전이원소로,상기 TM이 Mn, Co와 Cr인 것을 특징으로 하는 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물
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TM50Si50의 조성식으로 표현되고,TM은 합치 용융점 거동을 하는 B20 구조를 가진 전이금속-규소화합물 형성 전이금속 중 원자반경과 혼합엔탈피 유사도를 기준으로 선택된 4 주기 전이원소로,상기 TM이 Fe, Co와 Cr인 것을 특징으로 하는 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물
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TM50Si50의 조성식으로 표현되고,TM은 합치 용융점 거동을 하는 B20 구조를 가진 전이금속-규소화합물 형성 전이금속 중 원자반경과 혼합엔탈피 유사도를 기준으로 선택된 4 주기 전이원소로,상기 TM이 Mn, Fe, Co와 Cr인 것을 특징으로 하는 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물
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TM50Si50의 조성식으로 표현되고,TM은 합치 용융점 거동을 하는 B20 구조를 가진 전이금속-규소화합물 형성 전이금속 중 원자반경과 혼합엔탈피 유사도를 기준으로 선택된 4 주기 전이원소로,상기 TM이 Mn, Fe, Co, Cr과 Ni인 것을 특징으로 하는 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물
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제 12항, 13항, 15항, 18항, 21항 또는 25항 중 어느 한 항에 있어서, 모든 구성전이원소를 10 at
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스핀 군집체를 활용한 정보처리에 제 12항, 13항, 15항, 18항, 21항 또는 25항 중 어느 한 항에 있어서, 상용 주조법을 통해 제조 가능한 B20 구조를 가진 다중전이금속-단일규소 화합물을 재료로서 사용한 것을 특징으로 하는 전자소자
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