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프로브 핀 및 이의 제조방법(A Probe Pin and a Manufacturing Method of the same)

  • 기술번호 : KST2017009280
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 프로브 팁 및 프로브 빔을 포함하는 프로브 핀에 있어서, 상기 프로브 핀은 NiB 합금으로 이루어지는 제1금속층 및 상기 제1금속층의 상부에 형성되는 제2금속층을 포함하는 프로브 핀 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 기계적 특성이 우수하면서, 이와 동시에 전기적 특성이 우수한 프로브 핀을 제공할 수 있다.
Int. CL G01R 1/067 (2016.01.05)
CPC G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/06761(2013.01)
출원번호/일자 1020150166167 (2015.11.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0061314 (2017.06.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이주열 대한민국 경상남도 김해시 장유로***번길
2 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 이주영 대한민국 경상남도 김해시 월산로 ***,
4 이상열 대한민국 경상남도 김해시
5 임재홍 대한민국 경상남도 창원시 의창구
6 송영섭 대한민국 대구광역시 동구
7 임동찬 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1154832-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
프로브 팁 및 프로브 빔을 포함하는 프로브 핀에 있어서,상기 프로브 핀은 NiB 합금으로 이루어지는 제1금속층 및 상기 제1금속층의 상부에 형성되는 제2금속층을 포함하는 프로브 핀
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1금속층의 두께와 상기 제2금속층의 두께의 비는 2~5:1인 것을 특징으로 하는 프로브 핀
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제2금속층은 Cu, Cu 합금, Ag, Ag 합금, Au 또는 Au 합금으로 이루어지는 프로브 핀
4 4
베이스 기판 상부에 금속 전극층을 형성하는 단계;상기 금속 전극층을 포함하는 상기 베이스 기판의 상부에 개구부를 포함하는 포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트막 패턴층의 개구부에 프로브 핀을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 핀의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 프로브 핀은 NiB 합금으로 이루어지는 제1금속층 및 상기 제1금속층의 상부에 형성되는 제2금속층을 포함하는 프로브 핀의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 베이스 기판과 상기 금속 전극층의 사이에 베이스 금속층을 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 포토레지스트막 패턴층의 개구부에 프로브 핀을 형성하는 단계 이후,상기 베이스 기판의 상부에 형성된 상기 포토레지스트 패턴층을 제거하는 단계; 및상기 프로브 핀을 포함하는 베이스 기판의 전면(全面)에 마스킹막을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 마스킹막은 상기 프로브 핀의 상면 및 측면을 커버하여 형성되는 프로브핀의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 프로브 핀의 상면 및 측면을 상기 마스킹막으로 커버한 상태에서, 상기 베이스 기판을 제거하는 단계;상기 프로브 핀의 하면에 위치하는 상기 금속 전극층을 제거하는 단계; 및상기 프로브 핀의 상면 및 측면을 커버하는 상기 마스킹막을 제거하는 단계를 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원 국가과학기술연구회운영비지원 시스템 반도체 검사용 MEMS 기반 수직형 프로브 기술