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고성능 초박막 슈퍼커패시터 전극, 그 제조방법 및 이를 포함하는 슈퍼커패시터(Ultra-thin supercapacitor electrode having high performance, method for preparing the same, and a supercapacitor including the same)

  • 기술번호 : KST2017009378
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고에너지 다중벽 탄소나노튜브와 전도성 다중벽 탄소나노튜브를 다중 적층함으로써 제조되는 고성능 초박막 슈퍼커패시터에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 표면이 아민기로 개질된 제1 다중벽 탄소나노튜브; 및 유기산과 의사 용량성 나노입자 (pseudocapacitive nanoparticles)의 착화합물로 표면이 코팅된 제2 다중벽 탄소나노튜브를 포함하며,상기 제1 다중벽 탄소나노튜브 및 상기 제2 다중벽 탄소나노튜브가 수소 결합에 의해서 교대로 적층된 슈퍼커패시터 전극, 그 제조방법 및 이를 포함하는 슈퍼커패시터에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 제한된 부피에서 높은 용량 및 구동안정성을 나타내는 슈퍼커패시터 전극을 제공할 수 있으며, 모든 과정이 용액 공정으로 진행되기 때문에 기판의 크기 및 모양에 관련 없이 다양한 유연성 소자에 적용이 가능하고, 또한 다양한 나노입자를 적용하는 것이 가능하기 때문에 슈퍼커패시터 전극, 더 나아가 탄소나노튜브를 기반으로 하는 다양한 분야에 적용이 가능하다.
Int. CL H01G 11/32 (2016.01.13) H01G 11/36 (2016.01.13) H01G 11/86 (2016.01.13) C07C 57/12 (2016.01.13) C07C 53/126 (2016.01.13)
CPC H01G 11/36(2013.01) H01G 11/36(2013.01) H01G 11/36(2013.01) H01G 11/36(2013.01) H01G 11/36(2013.01)
출원번호/일자 1020150168667 (2015.11.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0062903 (2017.06.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조진한 대한민국 서울특별시 서초구
2 신동엽 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1167379-48
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0674529-17
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1132489-98
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1254623-48
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0077626-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0177114-92
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0177113-46
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0439084-24
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0803190-14
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0931566-91
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1037745-65
12 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1087108-18
13 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1087107-62
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-1108402-64
15 등록결정서
Decision to grant		 2018.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0209579-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면이 아민기로 개질된 제1 다중벽 탄소나노튜브; 및유기산과 의사 용량성 나노입자 (pseudocapacitive nanoparticles)의 착화합물로 표면이 코팅된 제2 다중벽 탄소나노튜브를 포함하며,상기 제1 다중벽 탄소나노튜브 및 상기 제2 다중벽 탄소나노튜브가 상기 아민기와 의사 용량성 나노입자간의 공유 결합에 의해서 교대로 적층된 슈퍼커패시터 전극
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 다중벽 탄소나노튜브 및 상기 제2 다중벽 탄소나노튜브는 1회 내지 20회 교대 적층되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극
3 3
제1항에 있어서,상기 유기산은 카르복실기를 갖는 유기산 화합물인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극
4 4
제1항에 있어서,상기 유기산은 올레산, 팔미틱산 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극
5 5
제1항에 있어서,상기 의사 용량성 나노입자는 Fe3O4, MnO2, TiO2, BaTiO3 및 RuO2로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 나노입자인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극
6 6
a) 다중벽 탄소나노튜브의 표면을 아민기로 개질함으로써 형성되는 다수의 제1 다중벽 탄소나노튜브를 제조하는 단계;b) 유기산과 의사 용량성 나노입자를 반응시킴으로써 유기산-의사 용량성 나노입자 착화합물을 제조하는 단계;c) 상기 착화합물과 다수의 상기 제1 다중벽 탄소나노튜브 중 일부를 반응시킴으로써 다수의 제2 다중벽 탄소나노튜브를 제조하는 단계; 및d) 상기 제1 다중벽 탄소나노튜브와 상기 제2 다중벽 탄소나노튜브를 교대로 적층하는 단계를 포함하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 다중벽 탄소나노튜브 및 상기 제2 다중벽 탄소나노튜브는 1회 내지 20회 교대 적층되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 유기산은 카르복실기를 갖는 유기산 화합물인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
9 9
제6항에 있어서,상기 유기산은 올레산, 팔미틱산 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
10 10
제6항에 있어서,상기 의사 용량성 나노입자는 Fe3O4, MnO2, TiO2, BaTiO3 및 RuO2로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 나노입자인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
11 11
제6항에 있어서,상기 c) 단계는 상기 제1 다중벽 탄소나노튜브가 분산된 알코올 용액을, 상기 유기산-의사 용량성 나노입자 착화합물이 분산된 톨루엔 용액과 혼합함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
12 12
제6항에 있어서,상기 d) 단계는 층상조립법 (Layer by Layer assembly, LbL)에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극의 제조방법
13 13
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 슈퍼커패시터 전극을 포함하는 슈퍼커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 (이공)중견연구자지원_도약연구 초박막 계면 설계를 통한 층상자기조립형 에너지 저장/하베스팅 및 촉매용 박막