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에스터기를 포함하는 그래핀 옥사이드(GO-ester)와 아민기를 포함하는 유기연결체를 용매에 분산시킨 다음, 반응시키는 단계를 포함하며, 비표면적이 400 ~ 800 m2/g인 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드의 에스터기와 유기연결체의 아민기의 반응에 의해 벤조이미다졸(Benzimidazole) 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에스터기를 포함하는 그래핀 옥사이드(GO-ester)는 그래핀 옥사이드(Graphene oxide)와 트리에틸올쏘아세테이트(Triethyl orthoacetate)를 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물을 파라톨루엔설폰산(p-Toluenesufonic acid)에 분산시켜 수득하는 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 아민기를 포함하는 유기연결체는 3,3‘,4,4’-테트라아미노비페닐(3,3‘,4,4’-tetraaminobiphenyl), 3,3‘,4,4’-테트라아미노터페닐(3,3‘,4,4’-tetraaminoterphenyl), 벤지딘(benzidine), 1,5-디아미노나프탈렌(1,5-diaminonaphthalene), (E)-4,4'-(디아젠-1,2-디일)디아닐린((E)-4,4'-(diazene-1,2-diyl)dianiline), 에틸렌다이아민(Ethylenediamine), 1,6-다이아미노헥세인(1,6-Diaminohexane), 1,8-다이아미노옥테인(1,8-Diaminooactne)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에스터기를 포함하는 그래핀 옥사이드(GO-ester)와 아민기를 포함하는 유기연결체는 산소의 몰 비율이 1:0
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제1항에 있어서, 상기 용매는 DMF(dimethylformamide), THF(tetrahydrofuran), 증류수, 디옥산(dioxane) 및 에탄올로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 촉매 및 계면활성제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응을 60 ~ 150℃에서 3 ~ 5일 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응은 원 포트 반응(One-pot Reaction)인 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응 종료 후, 냉각, 여과, 세척, 및 건조단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 다공성 그래핀의 제조방법
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제1항의 방법으로 제조된 3차원 다공성 그래핀을 이용한 이산화탄소(CO2) 흡착방법
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제1항의 방법으로 제조된 3차원 다공성 그래핀을 함유하는 이산화탄소(CO2) 흡착제
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제1항의 방법으로 제조된 3차원 다공성 그래핀을 이용한 수소(H2) 저장방법
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제1항의 방법으로 제조된 3차원 다공성 그래핀을 이용한 수소(H2) 흡착제
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