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고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치에 있어서,음극(Cathode)와 양극(Anode)를 포함하는 마그네트론; 및상기 마그네트론에 자기장을 형성시키는 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치를 포함하되,상기 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치는상기 마그네트론의 외부에 위치하여, 상기 자기장을 형성시키는 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치
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제1항에 있어서,상기 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치는크기 및 모형에 따라, 상기 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치에 의해 형성된 자기장을 일정 형태로 가변시키는 자기장가변부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치
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제2항에 있어서,상기 자기장가변부는금속물질 또는 자성물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치
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제2항에 있어서,상기 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치는상기 마그네트론 상하에 한 쌍으로 위치됨으로써,상기 마그네트론에 직교하는 자기장을 형성시키는 것을 특징으로 하는 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치
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제2항에 있어서,상기 영구 자석 기반의 자기장 형성 장치는자기장가변부를, 이동시키는 이동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치
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제5항에 있어서,상기 이동부는자기장가변부를, 상하로 이동시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치
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제1항 내지 제6항 중 한 항에 기재된 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치; 및상기 고출력 마그네트론과 연결되어, 상기 고출력 마그네트론에서 발생된 출력을 이용하여 입자를 가속시키는 것을 특징으로 하는 입자 가속기
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