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고열전도 질화규소 소결체의 제조방법(Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity)

  • 기술번호 : KST2017009424
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 질화규소 및 Y, Sc, Nd 및 Yb으로 이루어진 희토류 금속 그룹 중에서 선택된 최소한 2종의 희토류 금속의 산화물을 포함하는 원료분말로서, xSi3N4-yA2O3-zB2O3(x, y, z는 mol%이고, x, y, z003e#0, A 및 B는 각각 선택된 희토류 금속)로 표현되는 배합식에 따라 원료 분말을 준비하는 단계; 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계; 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계; 및 상기 성형된 성형체를 소결하는 단계를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 열전도율의 입계상을 갖는 질화규소 소결체를 제조 가능하게 된다.
Int. CL C04B 35/591 (2006.01.01) C04B 35/63 (2006.01.01)
CPC C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01)
출원번호/일자 1020150169343 (2015.11.30)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0063223 (2017.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해두 대한민국 경상남도 창원시 진해구
2 이재욱 대한민국 서울특별시 관악구
3 김하늘 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 박영조 대한민국 경상남도 창원시 진해구
5 김진명 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 고재웅 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1170928-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-1086255-25
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번호 청구항
1 1
질화규소 및 Y, Sc, Nd 및 Yb으로 이루어진 희토류 금속 그룹 중에서 선택된 최소한 2종의 희토류 금속의 산화물 또는 염을 포함하는 원료분말로서, xSi3N4-yA2O3-zB2O3(x, y, z는 mol%이고, x, y, z003e#0, A 및 B는 각각 선택된 희토류 금속)로 표현되는 배합식에 따라 원료 분말을 준비하는 단계;상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계;상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계; 및상기 성형된 성형체를 소결하는 단계를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 배합식의 A는 Sc인 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 배합식의 B는 Y인 것을 특징을 하는 질화규소 소결체의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 배합식에서 y+z003e#2인 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 배합식에서 y003e#z인 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 배합식에서 2003c#y+z003c#8인 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체의 제조방법
7 7
스칸듐과 스칸듐 이외의 다른 희토류 화합물을 소결조제로 포함하는 질화규소 소결체로서,상기 소결체는 Si3N4상을 주성분으로 하는 1차상과, Sc 화합물을 이차상으로 포함하며,상기 질화규소 소결체의 열전도율은 65W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체
8 8
제7항에 있어서,상기 Sc 화합물은 Sc2SiO5 또는 스칸듐과 다른 희토류 금속 산화물의 고용상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)월덱스 산업소재핵심기술개발 고효율 조명용 파워디바이스 금속접합, 고열전도성 반응소결 질화규소 방열기판 개발
2 미래창조과학부 재료연구소 재료연구소 운영비지원사업 고출력 파워디바이스용 고신뢰성 질화규소 기판소재 개발