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압전 고분자 기판;상기 압전 고분자 기판 하부에 배치된 전극을 포함하는 제1전극;상기 압전 고분자 기판 상부에 배치된 무기 반도체층;상기 무기 반도체층 상부에 배치된 고분자 반도체층;상기 고분자 반도체층 상부에 배치된 전하수송층; 및상기 전하수송층 상부에 배치된 제2전극;을 포함하되,상기 무기 반도체층은 아연 산화물 (ZnO), 티탄 산화물 (TiOx), 바륨티탄 산화물 (BaTiO3)로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 나노 입자 용액을 스핀코팅 후 가열하여 제조된 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 압전 나노 전력 발전소자
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제 1 항에 있어서,상기 압전 고분자 기판은 폴리비닐리덴 플루오라이드 (Polyvinylidene fluoride, PVDF), 폴리(비닐리덴 플루오라이드-트리플루오로에틸렌) 공중합체 (Poly (vinylidene fluoridetrifluoroethylene) Copolymer, P(VDF-TrFE)), 폴리디메틸실록세인 (Polydimethylsiloxane, PDMS) 및 PDMS-압전 반도체 복합막으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 압전 나노 전력 발전소자
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 반도체층은 하기 화학식 1로 표시되는 폴리[(4,8-디-(2-에틸헥실옥시)벤조[1,2-비:4,5-비′]디티오펜-2,6-디일)-얼트-(5,5′-일-4,4′-비스(2-에틸헥실)-2,2′-바이티오펜)] ([Poly[(4,8-di-(2-ethylhexyloxy)benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl)-alt-(5,5′-yl-4,4′-bis(2-ethylhexyl)-2,2′-bithiophene)], PBDTBiTh(2EH)]를 포함하는 공액 고분자로 이루어지며, 80 내지 150㎚ 두께인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 압전 나노 전력 발전소자
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제 1 항에 있어서,상기 전하수송층은 MoO3, WoO3, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate(PEDOT:PSS)로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 압전 나노 전력 발전소자
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(1) 압전 고분자 기판을 준비하는 단계;(2) 상기 압전 고분자 기판의 상부에 무기 반도체층을 형성하는 단계;(3) 상기 무기 반도체층의 상부에 고분자 반도체층을 형성하는 단계; 및(4) 상기 고분자 반도체층 상부에 전하수송층을 형성하는 단계;를 포함하되상기 압전 고분자 기판을 자외선으로 발생시킨 오존 또는 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼로 상기 압전 고분자 기판의 표면을 친수성으로 개질하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 압전 나노 전력 발전소자의 제조방법
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