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소재의 표면에 형성된 금속 또는 금속반응 생성물을 포함하는 오염물질을 제거하기 위한 소재 세정 장치로, 오염물질이 묻은 소재의 표면에 국부적으로 피코초 이하의 초단 펄스를 가지는 레이저를 조사하여 소재 표면에 초단 펄스의 피크 에너지를 가해 오염물질을 세정하는 레이저조사부, 및 상기 레이저조사부에서 조사되는 레이저의 포커스 위치를 검출하는 검출부를 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 1 항에 있어서,상기 세정장치는 레이저 포커스 길이에 맞춰 레이저조사부와 소재 표면 사이 거리를 제어하는 거리 조절부를 더 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 2 항에 있어서,상기 거리 조절부는 상기 레이저조사부에 설치되어 레이저조사부로부터 레이저가 조사되는 소재 표면까지의 거리를 측정하는 측정센서, 및 상기 측정센서의 검출 신호를 연산하여 포커스 길이에 맞춰 소재에 대해 레이저조사부의 위치를 조절하는 제어부를 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 검출부는 상기 레이저조사부에 간격을 두고 이격되어 설치되고 레이저 포커스 위치에 맞춰 서로 교차하도록 지시레이저를 조사하는 적어도 두 개 이상의 레이저포인터를 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 검출부는 상기 레이저조사부에 설치되고 레이저의 포커스 위치에 대응되는 길이로 연장되는 지시부재를 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 5 항에 있어서,상기 지시부재는 레이저를 감싸는 통 형태로 이루어져 레이저조사부 하단에 설치되고, 레이저 포커스 위치로 연장된 선단은 개방된 구조의 소재 표면 세정 장치
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제 6 항에 있어서,상기 지시부재의 일측에 연결되어 레이저 세정시 발생된 파티클을 흡입하여 제거하는 흡입부를 더 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 7 항에 있어서,상기 지시부재의 일측에 연결되어 레이저 조사영역으로 유체를 분사하여 세정시 발생된 파티클을 제거하는 분사부를 더 포함하는 소재 표면 세정 장치
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제 8 항에 있어서,상기 레이저조사부는 고체레이저, 액체레이저, 기체레이저 또는 반도체레이저를 모드잠금(mode-locking)하고 큐스위칭(Q-switching)하여 펄스 폭을 줄이고 출력을 높여 피코초 이하의 초단 펄스를 갖는 레이저를 생성하는 구조의 소재 표면 세정 장치
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제 9 항에 있어서,상기 레이저는 팸토초 또는 아토초 펄스의 레이저인 소재 표면 세정 장치
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제 10 항에 있어서,상기 레이저의 피크 에너지는 0
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소재의 표면에 형성된 금속 또는 금속반응 생성물을 포함하는 오염물질을 제거하기 위한 소재 세정 방법으로,피코초 이하의 초단 펄스를 가지는 레이저를 생성하는 단계와, 오염물질이 묻은 소재의 표면에 국부적으로 상기 레이저를 조사하여 초단 펄스의 피크 에너지를 가하여 오염물질을 제거하는 단계, 및 소재 표면에 조사되는 레이저의 포커스 위치를 검출하는 단계를 포함하는 소재 표면 세정 방법
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제 12 항에 있어서,레이저 포커스 길이에 맞춰 레이저를 조사하는 레이저조사부와 소재 표면 사이 거리를 제어하는 단계를 더 포함하는 소재 표면 세정 방법
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제 13 항에 있어서,상기 거리 제어 단계는, 레이저조사부와 소재 표면 사이 거리를 측정하는 단계와, 상기 측정 단계에서 검출된 측정값과 레이저 포커스 길이를 비교하는 단계, 및 검출된 측정값과 레이저 포커스 길이 차이에 따라 레이저조사부를 이동시키는 단계를 포함하는 소재 표면 세정 방법
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제 14 항에 있어서,오염물질 제거시 발생된 파티클을 흡입하여 제거하는 흡입단계를 더 포함하는 소재 표면 세정 방법
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제 15 항에 있어서,오염물질 제거시 레이저 조사 영역으로 유체를 분사하여 파티클을 제거하는 단계를 더 포함하는 소재 표면 세정 방법
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