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전압을 인가받고, 사이에 층을 형성하여 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고 입사된 방사선에 의해 전자정공쌍을 생성하고 생성된 전자정공쌍을 전계에 의해 분리시키는 방사선 흡수층;상기 방사선 흡수층 상에 배치되고 전계를 형성하는 유전층; 및상기 유전층 상에 배치되고 전하를 차단하는 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 복수로 형성되고, 상기 제2 전극을 이용하여 전류를 인가하고, 전압을 측정하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 FET의 구조인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기
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방사선에 의해 방사선 흡수층에서 생성된 전자정공쌍의 이동에 기인한 저항 변화를 측정하기 위해 전극을 통해 미리 정해진 전류값을 인가하는 단계; 및상기 전극을 이용하여 전압을 측정하고 상기 전류값 및 전압을 이용하여 저항값을 산출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 방법
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제4항에 있어서,상기 저항값을 산출하여 조사된 방사선의 양을 검출하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 방법
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