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반도체 생산현장에서 발생하는 유해가스 자동 제거장치(Toxic gas removal device automatically)

  • 기술번호 : KST2017009540
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 생산현장에서 발생하는 유해가스 자동 제거장치에 관한 것으로서, 공기 중 유해성분(유해가스)을 열촉매 반응을 통해 제거하여 쾌적한 실내 공기를 유지하고 대기오염을 방지할 수 있는 유해가스 자동 제거장치를 제공하는 것이다.본 발명은 실내에서 실외로 연장 설치되는 배기관로(110); 상기 배기관로(110)의 배출단 어느 한 부위에 설치되는 배기팬(120); 상기 배기관로(110)의 어느 한 부위에 내장 설치되어 공기 흐름 방향을 제어하기 위해 개폐 동작하는 메인댐퍼(130); 상기 배기관로(110)의 어느 한 부위에 설치되어 유해가스 발생 여부를 감지하는 가스감지센서(140);를 포함하는 배기덕트부(100);와, 상기 배기관로(110)로부터 공기 유통이 가능하도록 연결 설치되는 것으로, 유해성분이 함유된 공기를 공급받는 흡기부(211) 및 유해성분이 제거된 공기를 배출하는 배기부(212)가 일체로 형성된 '⊃'자형의 분기관로(210); 상기 흡기부(211)에 설치되어 개폐 동작하는 흡기댐퍼(220); 상기 배기부(212)에 설치되어 개폐 동작하는 배기댐퍼(230); 상기 분기관로(210) 내부에서 촉매필터부(250)의 양측 단부에 설치되는 미세금속필터(240); 상기 한 쌍의 미세금속필터(240) 사이에 형성되며 흡착제 및 촉매류가 충진되어 열을 가하였을시 촉매반응을 통해 흡착제에 포집된 유해성분을 제거하는 촉매필터부(250); 상기 촉매필터부(250)에 열을 전달하는 히팅수단(260); 상기 촉매필터부(250) 둘레를 감싸도록 형성된 단열수단(270);을 포함하는 유해가스제거덕트부(200);와, 유해가스 자동 제거장치의 전체적인 동작을 제어하는 제어부(300);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) B01D 53/86 (2006.01.01) B01D 46/00 (2006.01.01) B01D 53/00 (2006.01.01) H01L 21/60 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/67017(2013.01)
출원번호/일자 1020150169048 (2015.11.30)
출원인 선문대학교 산학협력단, 이엠씨(주)
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0063083 (2017.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 선문대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
2 이엠씨(주) 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영철 대한민국 충청남도 천안시 동남구
2 손준 대한민국 경기도 성남시 중원구
3 이호승 대한민국 대전광역시 서구
4 박세정 대한민국 대전광역시 유성구
5 김준구 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1169503-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0010326-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0051795-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0273210-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0273209-50
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0499257-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5169188-72
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번호 청구항
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반도체 생산현장에서 발생하는 유해가스 자동 제거장치에 관한 것으로,실내에서 실외로 연장 설치되는 배기관로(110); 상기 배기관로(110)의 배출단 어느 한 부위에 설치되는 배기팬(120); 상기 배기관로(110)의 어느 한 부위에 내장 설치되어 공기 흐름 방향을 제어하기 위해 개폐 동작하는 메인댐퍼(130); 상기 배기관로(110)의 어느 한 부위에 설치되어 유해가스 발생 여부를 감지하는 가스감지센서(140);를 포함하는 배기덕트부(100);상기 배기관로(110)로부터 공기 유통이 가능하도록 연결 설치되는 것으로, 유해성분이 함유된 공기를 공급받는 흡기부(211) 및 유해성분이 제거된 공기를 배출하는 배기부(212)가 일체로 형성된 '⊃'자형의 분기관로(210); 상기 흡기부(211)에 설치되어 개폐 동작하는 흡기댐퍼(220); 상기 배기부(212)에 설치되어 개폐 동작하는 배기댐퍼(230); 상기 분기관로(210) 내부에서 촉매필터부(250)의 양측 단부에 설치되는 미세금속필터(240); 상기 한 쌍의 미세금속필터(240) 사이에 형성되며, 단일벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 활성탄, 그래핀, 제올라이트 중 어느 하나에 해당하는 흡착제와, 백금, 파라듐, 금속산화물 중 어느 하나에 해당하는 촉매류가 충진되어 열을 가하였을시 촉매반응을 통해 흡착제에 포집된 유해성분을 제거하는 촉매필터부(250); 상기 촉매필터부(250)에 열을 전달하는 히팅수단(260); 상기 촉매필터부(250) 둘레를 감싸도록 형성된 단열수단(270);을 포함하는 유해가스제거덕트부(200);유해가스 자동 제거장치의 전체적인 동작을 제어하는 제어부(300);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 생산현장에서 발생하는 유해가스 자동 제거장치
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제 1항에 있어서,상기 히팅수단(260)은 최소 하나 이상의 히팅봉(261)이 적용되고, 상기 히팅봉(261)은 촉매필터부(250) 내부에 삽입 형성되는 것으로, 상기 히팅봉(261) 외측에는 열 전도율이 좋은 금속소재로 형성되고 둘레에는 다수개의 열전도핀(262a)이 돌출 형성된 열분산수단(262)이 결합 형성되며,상기 히팅봉(261)은 120~200℃ 온도 조건을 유지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 생산현장에서 발생하는 유해가스 자동 제거장치
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