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초음파 변환자에 있어서,상기 초음파 변환자의 후면층은 압전소자의 저면에 형성되고, 음향 임피던스가 상이한 제1 물질, 제2 물질 및 제3 물질을 포함하며, 상기 제1 물질은 상기 압전소자의 저면 중 일부에만 접합되고, 상기 제2 물질은 상기 압전소자의 저면 중 나머지 일부에 접합되고, 상기 제1 물질 및 상기 제2 물질은 서로 인접하여 상기 압전소자의 저면에 서로 다른 두께로 접합되고, 상기 제3 물질은 상기 제1 물질의 저면 및 상기 제2 물질의 저면에 모두 접합되며,상기 후면층을 통해 입사한 음향 에너지는 상기 제1 물질 및 상기 제3 물질의 경계에서 반사된 반향 신호가 상기 제2 물질 및 상기 제3 물질의 경계에서 반사된 반향 신호와 위상 차이에 의해 상쇄됨으로써 감쇠되는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 물질의 음향 임피던스는 상기 제 2 물질과 상기 제 3 물질의 음향 임피던스보다 크고, 상기 제 2 물질의 음향 임피던스는 상기 제 1 물질과 상기 제 3 물질의 음향 임피던스보다 작으며, 상기 제 3 물질의 음향 임피던스는 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질의 음향 임피던스의 중간 값을 갖는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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제 3 항에 있어서, 상기 제 1 물질은 음향 임피던스가 10 Mrayl 이상 20 Mrayl 이하인 값을 갖고, 상기 제 2 물질은 음향 임피던스가 2 Mrayl 이상 10 Mrayl 이하인 값을 갖고, 상기 제 3 물질은 상기 제 1 물질과 상기 제 2 물질의 음향 임피던스의 중간 값을 갖는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 물질, 상기 제 2 물질 및 상기 제 3 물질은 상기 두 반향 신호의 발생시간이 동일하도록 조절된 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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제 5 항에 있어서, 상기 두께는 아래의 수식에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 물질과 상기 제 3 물질의 음향 임피던스 차이와 상기 제 2 물질과 상기 제 3 물질의 음향 임피던스 차이는 각각 2 Mrayl 이상 10 Mrayl 이하인 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 초음파 변환자의 후면층의 구조는 단일 소자 타입의 초음파 변환자, 다중 소자 (Array) 타입의 초음파 변환자 및 복합체 형태의 초음파 변환자 중 어느 하나의 변환자에 적용 가능한 것을 특징으로 하는 초음파 변환자
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초음파 변환자의 후면층 제조 방법에 있어서,상기 초음파 변환자의 후면층을 구성하기 위한 제 1 물질과 제 3 물질을 벌크 형태로 상기 제 3 물질을 상기 제 1 물질의 저면에 부착하는 단계;상기 제 3 물질이 부착된 상기 제 1 물질을 상면으로부터 저면 방향으로 다이싱하여 치폭을 형성하는 단계; 및상기 형성된 치폭에 제 2 물질을 채우고 경화시키는 단계를 포함하고, 상기 제 1 물질 및 상기 제 3 물질의 일부는 소정의 폭을 갖는 블레이드를 이용하여 다이싱되며,상기 제1 물질, 상기 제2 물질 및 상기 제 3 물질은 음향 임피던스가 서로 상이하고, 상기 단계들에 따라 제작된 초음파 변환자의 후면층은 압전소자의 저면에 부착되며,상기 제1 물질은 상기 압전소자의 저면 중 일부에만 접합되고, 상기 제2 물질은 상기 압전소자의 저면 중 나머지 일부에 접합되고, 상기 제1 물질 및 상기 제2 물질은 서로 인접하여 상기 압전소자의 저면에 서로 다른 두께로 접합되고, 상기 제3 물질은 상기 제1 물질의 저면 및 상기 제2 물질의 저면에 모두 접합되며,상기 후면층을 통해 입사한 음향 에너지는 상기 제1 물질 및 상기 제3 물질의 경계에서 반사된 반향 신호가 상기 제2 물질 및 상기 제3 물질의 경계에서 반사된 반향 신호와 위상 차이에 의해 상쇄됨으로써 감쇠되는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자의 후면층 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 블레이드의 폭은 다이싱 후 잔여 제 1 물질의 폭과 치폭의 폭의 합산 값이 다중 소자 타입의 초음파 변환자의 소자 간격과 동일하도록 설정된 폭인 것을 특징으로 하는 초음파 변환자의 후면층 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 블레이드의 폭은 단일 소자 타입의 초음파 변환자 폭의 절반과 동일하도록 설정된 폭인 것을 특징으로 하는 초음파 변환자의 후면층 제조 방법
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방법으로 제작된 초음파 변환자의 후면층을 다중 소자 변환자용 압전소자의 후면에 부착하거나 단일 소자 또는 복합체 형태의 변환자용 압전소자의 후면에 부착하는 단계; 및제작 목표 초음파 변환자의 크기에 상응하게 컷팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초음파 변환자의 후면층 제조 방법
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