| 1 |
1
전자를 방출하는 에미터를 포함하는 캐소드 전극;상기 에미터로부터 상기 전자의 방출을 유도하는 게이트 전극; 및상기 캐소드 전극에 대향하게 배치되고, 방출된 전자를 이용하여 엑스선을 생성하는 아노드 전극을 포함하고, 상기 에미터는 반도체 단층 탄소나노튜브로 이루어진 전계방출소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 에미터는 캐소드 전극 상에 일정한 간격을 두고 배치된 전계방출소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 방출된 전자가 통과하기 위한 제1 개구부를 포함하는 전계방출소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 게이트 전극에 의해 방출된 전자를 집속시키는 집속 게이트 전극을 더 포함하는 전계방출소자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 집속 게이트 전극은 상기 방출된 전자가 통과하기 위한 제2 개구부를 포함하는 전계방출소자
|
| 6 |
6
전자를 방출하는 에미터를 포함하는 캐소드 전극; 및상기 캐소드 전극에 대향하게 배치되고, 상기 전자의 방출을 유도하며, 방출된 전자를 이용하여 엑스선을 생성하는 아노드 전극을 포함하고, 상기 에미터는 반도체 단층 탄소나노튜브로 이루어진 전계방출소자
|
