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70 내지 150 ㎚의 입경을 갖는 실리콘 입자 나노 코어; 및 상기 나노 코어로부터 10 내지 30 nm 이격되어 형성되고, 꽃잎 형태로 성장되며 결정입계면(grain-boundary)를 갖는 그래핀을 포함하는 탄소 쉘을 포함하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노 볼
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제1항에 있어서, 상기 탄소 쉘의 두께는 5 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼의 입경은 100 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼
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제1항, 제5항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼을 포함하는 이차전지용 음극 활물질
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실리콘 나노 입자 상에 금속층을 형성하는 단계;CVD 공정으로 탄소 소스-함유 가스를 공급하면서 수소 또는 아르곤 가스 분위기하에서 열처리하여 상기 금속층 상에 탄소 쉘을 형성하는 단계; 및상기 금속층을 에칭하여 빈 공간을 형성하는 단계를 포함하는 제1항의 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 금속은 Fe, Ti, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 금속층은 무전해 도금을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 금속층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 탄소 소스는 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부틸렌, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 펜틴, 펜타디엔, 사이클로펜탄, 사이클로펜타디엔, 헥산, 헥센, 사이클로헥산, 사이클로헥사디엔, 벤젠, 톨루엔 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 열처리는 600 ~ 1000 ℃에서 10초 내지 10분간 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 탄소 쉘은 5 ~ 20nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 에칭은 염산(HCl), 황산(H2SO4), 불화수소(HF), 염화철(FeCl3), 인산(H3PO4), 질산(HNO3) 및 질산은(AgNO3)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼 제조방법
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