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다층무기봉지박막에 있어서,전처리된 제1무기박막층;상기 제1무기박막층 상에 형성된 전처리된 제2무기박막층; 및상기 제2무기박막층 상에 형성된 제3무기박막층;을 포함하며,상기 다층무기봉지박막은 상기 제1무기박막층과 상기 제2무기박막층 사이의 계면 그리고, 상기 제2무기박막층과 상기 제3무기박막층 사이의 계면에서 혼합층으로 존재하여 비정질 상태인 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막
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제 1 항에 있어서,상기 제1무기박막층은 SiN박막층이고, 상기 제2무기박막층은 SiCN박막층이며, 상기 제3무기박막층은 SiN박막층인 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막
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제 2 항에 있어서,상기 다층무기봉지박막의 밀도는 2
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다층무기봉지박막은 OLED용 다층무기봉지박막인 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막
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다층무기봉지박막의 제조방법에 있어서,제1무기박막층을 형성하는 제1단계;상기 제1무기박막층을 전처리하는 제2단계;상기 제1무기박막층 상에 제2무기박막층을 형성하는 제3단계;상기 제2무기박막층을 전처리하는 제4단계; 및상기 제2무기박막층 상에 제3무기박막층을 형성하는 제5단계;를 포함하며,상기 제1무기박막층과 상기 제2무기박막층 사이의 계면 그리고, 상기 제2무기박막층과 상기 제3무기박막층 사이의 계면은 혼합층으로 존재하여 비정질 상태인 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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6
제 5 항에 있어서,상기 제1단계는 PECVD법을 이용하여 SiN박막층을 증착하는 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 제2단계는 상기 SiN박막층을 질소 플라즈마처리공정을 수행함과 함께, 200 내지 300℃ 범위의 일정 온도에서 열처리공정을 수행하여 상기 SiN박막층 표면에 기공을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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8
제 7 항에 있어서,상기 제3단계는 PECVD법을 이용하여 SiCN박막층을 증착하는 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제4단계는 상기 SiCN박막층을 질소 및 산소 플라즈마처리공정을 수행함과 함께, 150 내지 250℃ 범위의 일정 온도에서 열처리공정을 수행하여 상기 SiCN박막층 표면에 기공을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 제5단계는 PECVD법을 이용하여 SiN박막층을 증착하는 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제5단계의 상기 SiN박막층의 밀도는 상기 제1단계의 상기 SiN박막층과 상기 제3단계의 상기 SiCN박막층의 밀도보다 높은 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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12
제 5 항 내지 제 11 항 중 어느 한 한에 있어서,상기 다층무기봉지박막은 OLED용 다층무기봉지박막인 것을 특징으로 하는 다층무기봉지박막의 제조방법
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