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고열전도율을 갖는 반응소결 질화규소의 제조 방법(Manufacturing Method of Sintered Reaction Bonded Silicon Nitride With High Thermal Conductivity)

  • 기술번호 : KST2017009926
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 원료 분말로 하여, Si 분말의 평균입자크기(d50)가 1~2 마이크로미터 범위에 있도록 밀링하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450℃에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850℃ 이상의 온도에서 후소결하여 반응소결 질화규소 소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 반응소결 질화규소의 원료인 Si 분말의 입도를 조절함으로써 최적화 된 열전도율의 반응소결 질화규소 소결체를 제조할 수 있게 된다.
Int. CL C04B 35/591 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01)
CPC C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01)
출원번호/일자 1020150173561 (2015.12.07)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0067235 (2017.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영조 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김진명 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김하늘 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 이재욱 대한민국 서울특별시 관악구
5 고재웅 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 고신일 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-1197830-87
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0637103-57
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0044660-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0365458-73
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0750230-55
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0864387-09
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0969648-05
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1078950-58
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2018.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0170707-76
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1184635-90
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1184636-35
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0241730-58
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0568374-85
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0666628-53
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0666627-18
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0777043-71
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번호 청구항
1 1
Si 분말을 원료 분말로 하여, Si 분말의 평균입자크기(d50)가 1~2 마이크로미터 범위에 있도록 밀링하는 단계;상기 성형체를 1350~1450℃에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및상기 반응결합 질화규소를 1850℃ 이상의 온도에서 후소결하여 반응소결 질화규소 소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 Si 분말의 평균입자크기는 1
3 3
제1항에 있어서,상기 원료 분말은 평균입자크기가 3 마이크로미터 이상인 것을 특징으로 하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 밀링 단계는,상기 원료 분말의 평균입자크기를 r0라 하고
5 5
제1항에 있어서,상기 밀링 단계는, 밀링 전 상기 Si 분말의 평균입자크기에 해당하는 입자의 표면적을 A0, 밀링 후의 Si 분말의 평균입자 크기에 해당하는 분말의 표면적을 A라 할 때, 상기 밀링 후의 Si 분말은, A/A0가 2~4 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 밀링 후 Si 분말의 산소함량은 1
7 7
제1항에 있어서,상기 밀링 후 Si 분말의 산소함량은 1
8 8
제1항에 있어서,상기 밀링 단계에서 상기 원료 분말은 Si3N4 희석제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 밀링 단계는 2~4시간 수행되는 것을 특징으로 하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)월덱스 산업소재핵심기술개발 고효율 조명용 파워디바이스 금속접합, 고열전도성 반응소결 질화규소 방열기판 개발