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산화그래핀과 양이온성 물질을 반응시켜 양전하를 띠는 양이온성 산화그래핀을 형성하는 단계; 및상기 양이온성 산화그래핀 상에 음전하를 띠는 음이온성 물질을 흡착시키는 단계를 포함하는, 음이온성 물질의 센싱 방법으로서,상기 양이온성 물질은 암모늄 양이온을 포함하는 것이고,상기 암모늄 양이온은 하기 화학식 1로서 표시되는 것이며,상기 음이온성 물질은 TcO4-, ReO4-, ReS4-, WO42-, MoO42-, CrO42-, IO4-, RuO4-, ClO3-, ClO4-, VO43-, SO42-, MnO4-, CH3COO-, Br-, Cl-, I-, S2-, PO3-, NO3-, CO32-, HCO3-,및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 음이온성 물질의 센싱 방법:[화학식 1];상기 화학식 1 중,R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1-20 알킬기 또는 치환된 C1-20 알킬기이며,단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 치환된 C1-20 알킬기임
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제 1 항에 있어서,상기 양이온성 물질은 글리시딜 트리메틸암모늄 클로라이드, 글리시딜 트리에틸암모늄 클로라이드, 글리시딜 트리프로필암모늄 클로라이드, (3-아크릴아미도프로필)트리에틸암모늄 클로라이드, (2-메타크릴옥시에틸)트리에틸 암모늄 클로라이드, (3-클로로-2-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 클로라이드, N-도데실 아민 베타인 메르캅토 에틸아민 하이드로클로라이드, (2-아미노에틸)트리메틸암모늄 클로라이드 하이드로클로라이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 음이온성 물질의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화그래핀과 상기 양이온성 물질의 중량비는 1:3 내지 1:75인 것인, 음이온성 물질의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화그래핀과 상기 양이온성 물질의 반응은 산화그래핀 수용액에 상기 양이온성 물질을 첨가하여 수행되는 것인, 음이온성 물질의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화그래핀과 상기 양이온성 물질의 반응은 40℃ 내지 80℃에서 수행되는 것인, 음이온성 물질의 센싱 방법
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제 7 항에 있어서,상기 산화그래핀과 상기 양이온성 물질의 반응은, 상기 산화그래핀 수용액에 상기 양이온성 물질의 첨가 후, 촉매를 첨가하는 것을 추가 포함하는 것인, 음이온성 물질의 센싱 방법
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제 7 항에 있어서,상기 산화그래핀과 상기 양이온성 물질의 반응 전, 상기 산화그래핀 수용액을 초음파 처리하는 것을 추가 포함하는, 음이온성 물질의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 음이온성 물질이 흡착된 상기 양이온성 산화그래핀을 원심분리하여 미반응된 음이온성 물질의 양을 측정하는 단계를 추가 포함하는, 음이온성 물질의 센싱 방법
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산화그래핀과 양이온성 물질이 반응하여 형성된 양이온성 산화그래핀을 포함하며,상기 양이온성 물질은 하기 화학식 1로서 표시되는 암모늄 양이온을 포함하는 것인, 음이온성 물질 흡착용 조성물:[화학식 1];상기 화학식 1 중,R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1-20 알킬기 또는 치환된 C1-20 알킬기이며,단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 치환된 C1-20 알킬기임
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산화그래핀과 양이온성 물질이 반응하여 형성된 양이온성 산화그래핀을 포함하며,상기 양이온성 물질은 하기 화학식 1로서 표시되는 암모늄 양이온을 포함하는 것인, 음이온성 물질 센서용 조성물:[화학식 1];상기 화학식 1 중,R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1-20 알킬기 또는 치환된 C1-20 알킬기이며,단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 치환된 C1-20 알킬기임
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