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제1기판, 제1기판상 위치하는 제1전극, 제1전극상 위치하는 전자 전달체 및 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제1표면층을 포함하는 제1구조체와제2기판, 제2기판상 위치하는 제2전극 및 제1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제2표면층을 포함하는 제2구조체를 포함하며, 제1구조체의 제1표면층과 제2구조체의 제2표면층이 서로 맞닿도록 적층된 적층체이며, 열간압착에 의해 제1표면층과 제2표면층이 단일하며 일체인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 층으로 전환되며 태양전지가 제조되는 태양전지 제조용 적층체
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제 2항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 독립적으로, i~v) 중 적어도 한 물질의 입자상이 도포된 도포막 또는 i~v) 중 적어도 한 물질의 다공막인 태양전지 제조용 적층체
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제 2항에 있어서,상기 제2구조체는, 제2전극 상 위치하는 정공 전달체를 더 포함하거나, 상기 제2표면층이 제2전극에 접하여 위치하는 태양전지 제조용 적층체
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제 2항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판은 각각 투명 기판이며, 제1전극 및 제2전극은 각각 투명전극인 태양전지 제조용 적층체
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투명 기판인 제1기판, 제1기판상 위치하는 투명 전극인 제1전극, 제1전극상 위치하는 전하전달체 및 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제1표면층을 포함하는 제1구조체와제2전극, 제2전극 상 위치하며, 800nm 이상의 광을 흡수하여 전자 및 정공을 생성하는 무기 광흡수층, 무기 광흡수층 상 위치하는 접합층 및 제1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제2표면층을 포함하는 제2구조체를 포함하며,제1구조체의 제1표면층과 제2구조체의 제2표면층이 서로 맞닿도록 적층된 적층체이며,열간압착에 의해 제1표면층과 제2표면층이 단일하며 일체인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 층으로 전환되며 탠덤 구조 태양전지가 제조되는 탠덤 구조 태양전지 제조용 적층체
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제 7항에 있어서,상기 제2구조체의 무기 광흡수층은 에미터층 및 후면전계를 형성하는 BSF(back surface field)층이 형성된 반도체 기판을 포함하고, 상기 제2전극은 상기 반도체 기판의 BSF층과 전기적으로 접속되어 있으며, 상기 에미터층 상에 상기 접합층이 위치하며, 상기 제2구조체는 상기 접합층 상에 위치하는 제2 전하전달체를 더 포함하는 탠덤 구조 태양전지 제조용 적층체
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제 7항에 있어서,상기 제2구조체의 무기 광흡수층은 금속칼코젠 화합물을 포함하며, 상기 제2구조체는 제2기판, 무기 광흡수층상 위치하는 버퍼층 및 제2 전하전달체를 더 포함하며, 제2기판, 제2전극, 무기 광흡수층, 버퍼층, 접합층, 제2 전하전달체, 및 제2표면층이 순차적으로 구비된 탠덤 구조 태양전지 제조용 적층체
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제 7항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 독립적으로, i~v) 중 적어도 한 물질의 입자상이 도포된 도포막 또는 i~v) 중 적어도 한 물질의 다공막인 탠덤 구조 태양전지 제조용 적층체
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제1기판, 제1기판상 위치하는 제1전극, 제1전극상 위치하는 제1 전하전달체 및 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제1표면층을 포함하는 제1구조체;와 제2기판, 제2기판상 위치하는 제2전극, 제2전극상 위치하는 제2 전하전달체 및 제1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제2표면층을 포함하는 제2구조체;의 제1표면층과 제2표면층이 열간압착에 의해 단일하며 일체인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 층인 광흡수층으로 전환되어 형성된 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 제1 전하전달체 및 제2 전하전달체 중 적어도 하나는 다공성 전하전달체이며, 상기 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 층은 상기 다공성 전하전달체의 기공을 채우며 다공성 전하전달체를 덮는 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판은 각각 투명 기판이며, 상기 제1전극 및 제2전극은 각각 투명 전극인 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 제1전극은 상기 제1기판과 직접적으로 맞닿아 결착되어 있으며, 상기 제2전극은 상기 제2기판과 직접적으로 맞닿아 결착되어 있는 태양전지
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