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상부가 하부에 비해 넓은 폭을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트 패턴 상에 몰드용 절연막을 형성하는 단계;상기 레지스트 패턴을 제거하여 몰드를 형성하는 단계; 및상기 몰드 내에 제1 금속 및 제2 금속의 합금을 포함하는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,리프트-오프 레지스트를 형성하는 단계;상기 리프트-오프 레지스트 상에 네거티브 포토레지스트를 형성하는 단계; 및상기 네거티브 포토레지스트 및 상기 리프트-오프 레지스트 패턴를 패터닝하여, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는금속 전극의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 몰드용 절연막을 형성하는 단계는,상기 리프트-오프 레지스트 패턴의 측벽을 감싸도록 상기 몰드용 절연막을 형성하는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 몰드용 절연막을 형성하는 단계는,RF 스퍼터링 (Radio Frequency Sputtering) 방식으로 상기 레지스트 패턴 상에 상기 몰드용 절연막을 코팅하는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 몰드용 절연막은 SiO2, Si3N4 또는 Al2O3를 포함하는 금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 몰드를 형성하는 단계는, 리프트-오프(lift-off) 공정을 이용하여 상기 레지스트 패턴을 제거하는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는, 동시 전착(electro-co-deposition) 방식으로 상기 금속 전극을 형성하는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 몰드를 형성하는 단계는,마이크로 우물 구조의 빈 공간을 포함하는 상기 몰드를 형성하는금속 전극의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는,상기 빈 공간을 채우는 봉 구조 및 상기 봉 구조 상의 돌출부를 포함하는 돌출 형태의 상기 금속 전극을 형성하는금속 전극의 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는,증착 공정을 이용하여 상기 금속 전극을 형성하고, 상기 금속 전극을 증착하는 시간이 길어질수록 상기 돌출부의 크기가 증가되는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속을 선택적으로 용해시켜 나노다공성 금속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 전극의 형성 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 금속은 금이고 상기 제2 금속은 은이고, 은 식각제를 이용하여 상기 은을 선택적으로 용해시키는금속 전극의 형성 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 금속은 금이고 상기 제2 금속은 백금이고, 금 식각제를 이용하여 상기 금을 선택적으로 용해시키는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전극은 버섯 형태를 갖는금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전극은 세포 외 신경 신호 측정용 신경 전극인금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전극은 체외 신경 세포 인터페이스용 전극 어레이에 포함된 신경 전극인금속 전극의 형성 방법
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