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소정의 내부 공간이 형성되며 제1 개스를 공급하는 인입구가 형성된 챔버;상기 챔버 내에서 타겟을 지지하는 타겟 지지부;상기 챔버 내에서 상기 타겟 지지부를 대향하며, 그 위에 증착 대상물이 장착되는 기판 홀더;상기 챔버 내에서 상기 타겟 지지부와 상기 기판 홀더 사이에 배치되며, 적어도 하나의 턴을 포함하며 내부로 제2 개스가 흐르도록 중공이며 복수의 토출홀이 형성되어 상기 제2 개스가 토출되는 고주파 파이프;상기 타겟 지지부 및 상기 기판 홀더 사이에 제1 고주파 전압을 인가하는 제1 고주파 전원; 및상기 고주파 파이프에 제2 고주파 전압을 인가하는 제2 고주파 전원;을 포함하는 등각 증착을 위한 스퍼터링 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 타겟 지지부 내부에 배치되어 상기 타겟 지지부에 장착된 타겟 위로 자기장을 형성하는 자석;을 더 포함하는 스퍼터링 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 고주파 파이프는 평면도에서 볼 때 상기 타겟 지지부에 장착되는 타겟을 포위하는 형태로 상기 타겟의 직경 보다 큰 원형의 띠를 형성하는 스퍼터링 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 고주파 파이프의 상기 복수의 토출홀 각각은 대략 0
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제 1 항에 있어서, 상기 고주파 파이프의 일단에는 상기 소스를 공급하는 인입구가 형성된 스퍼터링 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 개스 및 제2 개스는 각각 질소를 포함하며,상기 제1 고주파 전압에 의해 상기 제1 개스는 제1 질소 플라즈마를 생성하고, 상기 제2 고주파 전압에 의해 상기 제2 개스는 제2 질소 플라즈마를 생성하는 스퍼터링 장치
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제1항의 스퍼터링 장치를 이용한 3차원 이차전지의 고체 전해질 제조방법에 있어서, 상기 기판 홀더 상에 복수의 양극 플레이트가 배치된 양극 집전체를 배치하되, 상기 복수의 양극 플레이트이 상기 타겟 지지부를 향하도록 배치하는 단계;상기 타겟 지지부 상에 Li-P-O 계 고체전해질로 이루어진 타겟을 배치하는 단계;상기 챔버로 질소 및 아르곤 개스를 공급하고, 상기 제1 고주파 전압을 인가하여 아르곤 플라즈마 및 제1 질소 플라즈마를 형성하고, 상기 타겟으로부터 원소들을 스퍼터링하는 단계;상기 고주파 파이프의 복수의 토출홀로부터 질소 포함 개스를 방출하고 상기 제2 고주파 전압을 인가하여 고주파 파이프 내측으로 제2 질소 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 타겟으로부터 스퍼터링된 원자들과 상기 제2 질소 플라즈마 내의 질소 이온들이 화학적 결합을 하여 상기 양극 표면에 전해질막을 형성하는 단계;를 포함하는 3차원 이차전지 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 양극은 LiCoO2, LiMnO2, LiNiO2, LiFePO4, LiMnPO4, LiMn2O4 중 선택된 어느 하나로 이루어진 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 전해질막은 1 ~ 5 ㎛ 두께로 형성되는 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 고체 전해질막은 제1 두께의 제1 고체 전해질막이며, 상기 제1 고체 전해질막이 형성된 결과물 상으로 화학기상증착 방법으로 상기 제1 고체 전해질막 상으로 상기 제1 두께 보다 두꺼운 제2 두께를 가진 제2 고체 전해질막을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 제1 두께는 0
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제 10 항에 있어서, 상기 제2 고체 전해질막 형성단계는, 상기 챔버와 다른 챔버에서 수행되는 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 질소포함 개스는 N2, N2-O2, NH3, NxOy 중 적어도 하나를 포함하는 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 양극은 10:1 이상의 종횡비를 가지는 제조방법
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