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탄화규소 에피 박막 성장 방법(SILICON CARBIDE EPITAXIAL FILM GROWTH METHOD)

  • 기술번호 : KST2017010297
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄화규소 에피 박막 성장 방법에 관한 것으로, 화학 기상 증착법으로 탄화규소 에피 박막을 성장시키기 위한 방법으로서, 반응 장치 내에 탄화규소(SiC) 기판을 장입한 후, 상기 반응 장치 내부를 설정 온도로 승온시키는 승온 단계; 상기 승온 단계에서 상기 반응 장치 내부를 승온시키면서 행해지고, 상기 탄화규소 기판 표면을 설정 시간 동안 에칭하는 에칭 단계; 상기 에칭 단계가 끝남과 동시에 행해지고, 상기 반응 장치 내에 공정가스인 SiH4 가스와 C3H8 가스를 공급하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계; 및 상기 버퍼층이 형성된 후, 설정 온도 및 설정 압력 하에서 공정 가스로서 SiH4 가스와 C3H8 가스를 사용하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 에피 박막을 성장시켜 에피층을 형성하는 에피 박막 성장 단계;를 포함하고, 상기 에피 박막 성장 단계의 C/Si 몰비 범위는, 1.1 이하인 것인, 탄화규소 에피 박막 성장 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.01.16) H01L 21/205 (2016.01.16) H01L 21/20 (2016.01.16) H01L 21/3213 (2016.01.16)
CPC H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01)
출원번호/일자 1020150179527 (2015.12.15)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0071324 (2017.06.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서한석 대한민국 경북 포항시 남구
2 박우진 대한민국 경북 포항시 남구
3 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
4 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
5 김장열 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1230304-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0007806-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0031569-19
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0246159-32
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0353909-56
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0353908-11
9 등록결정서
Decision to grant
2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0586212-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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화학 기상 증착법으로 탄화규소 에피 박막을 성장시키기 위한 방법으로서, 반응 장치 내에 탄화규소(SiC) 기판을 장입한 후, 상기 반응 장치 내부를 설정 온도로 승온시키는 승온 단계;상기 승온 단계에서 상기 반응 장치 내부를 승온시키면서 행해지고, 상기 탄화규소 기판 표면을 설정 시간 동안 에칭하는 에칭 단계;상기 에칭 단계가 끝남과 동시에 행해지고, 상기 반응 장치 내에 공정가스인 SiH4 가스와 C3H8 가스를 공급하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계; 및상기 버퍼층이 형성된 후, 설정 온도 및 설정 압력 하에서 공정 가스로서 SiH4 가스와 C3H8 가스를 사용하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 에피 박막을 성장시켜 에피층을 형성하는 에피 박막 성장 단계;를 포함하고,상기 에피 박막 성장 단계의 C/Si 몰비 범위는, 1
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제 1항에서,상기 에피 박막 성장 단계의 상기 설정 온도는 1500℃ 이상 1600℃ 이하이고, 상기 설정 압력은 100 mbar 이상 150 mbar 이하인 것인 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제 7항에서,상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 에피 박막 성장 단계에서 도핑 가스로 질소(N2)가 더 공급되는 것인 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제 8항에서,상기 버퍼층 형성 단계는 3분 이상 10분 이하의 시간 동안 수행되는 것인 탄화규소 에피 박막 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.