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저항변화층을 포함하고, 입력 펄스의 인가 횟수에 따라 저항이 변경되는 시냅스 소자; 및상기 시냅스 소자의 일측과 전기적으로 연결되고, 전기적 진동이 발현되는 뉴런 소자를 포함하고,상기 뉴런 소자는 부도체-도체 전이 특성을 가지고, 상기 저항이 변경되는 시냅스 소자로부터 인가되는 전압에 의해 고저항 상태 또는 저저항 상태로 변경되어 상기 전기적 진동을 유발하는 것을 특징으로 하는, 고집적 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서,상기 뉴런 소자는,기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 금속산화물층; 및상기 금속산화물층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 시스템
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제3항에 있어서,상기 금속산화물층은 NbO2, VO2, Ti3O5, Ti2O3 또는 SmNiO3을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 시스템
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제3항에 있어서,상기 제1 전극은 TiN, W, Mo, Pt, Ru, TaN, Ir, RuO2, IrO2 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 시스템
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제3항에 있어서,상기 제2 전극은 TiN, W, Mo, Pt, Ru, TaN, Ir, RuO2, IrO2 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 시스템
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제1항에 있어서,상기 시냅스 소자는,기판;상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 위치하는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 위치하는 상부 전극층을 포함하는 것인 고집적 뉴로모픽 시스템
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제7항에 있어서,상기 저항변화층은 PCMO를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 시스템
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제8항에 있어서,상기 PCMO는 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 시스템
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패턴화된 정보를 수신하는 입력부;상기 입력부에 연결되고, 수신된 패턴화된 정보를 시냅스 형태로 수신하고, 저항변화층을 포함하는 시냅스부; 및상기 시냅스부의 출력을 수신하여 출력신호의 전기적 진동을 발현하거나, 입력된 패턴 정보를 분류하는 뉴런부를 포함하고, 상기 시냅스부는, 상기 패턴화된 정보를 양의 시냅스 및 음의 시냅스로 수신하고,상기 양의 시냅스와 상기 음의 시냅스는 셋 펄스의 인가에 따라 저항이 감소하고, 리셋 펄스의 인가에 따라 저항이 증가하는 특징을 가지는 것이고,상기 뉴런부는 부도체-도체 전이 특성을 가지는 금속 산화물층을 포함하고,상기 저항이 변경되는 시냅스 소자로부터 인가되는 전압에 의해 고저항 상태 또는 저저항 상태로 변경되어 상기 전기적 진동을 유발하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 회로
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제10항에 있어서,상기 시냅스부는,기판;상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 위치하는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 위치하는 상부 전극층을 포함하는 시냅스 소자인 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 회로
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제11항에 있어서,상기 저항변화층은 PCMO를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 회로
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제10항에 있어서, 상기 뉴런부는,상기 시냅스부의 출력에 따라 충방전 동작을 수행하기 위한 커패시터; 및상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 충방전 동작을 통해 전기적 진동을 발현하거나, 특정의 레벨을 가진 출력신호를 형성하기 위한 뉴런소자를 포함하는 것인 고집적 뉴로모픽 회로
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제15항에 있어서,상기 뉴런소자는,기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 금속산화물층; 및상기 금속산화물층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 고집적 뉴로모픽 회로
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제16항에 있어서,상기 금속산화물층은 NbO2, VO2, Ti3O5, Ti2O3 또는 SmNiO3을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 뉴로모픽 회로
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