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저 암전류 아발란치 포토다이오드(LOW DARK-CURRENT AVALANCHE PHOTODIODE)

  • 기술번호 : KST2017010412
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 저 암전류 아발란치 포토다이오드로서, 증폭층의 중심부에 형성되는 멀티플리케이션(multiplication) 영역과 그 주변에 형성되는 비-멀티플리케이션 영역을 포함하는 상기 증폭층; 및 상기 증폭층 상단의 수광부에 배치되는 전극을 포함하고, 상기 전극은 멀티플리케이션 영역 및 비-멀티플리케이션 영역의 일부를 포함하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/107 (2016.01.28) H01L 31/02 (2016.01.28) H01L 29/66 (2016.01.28) H01L 31/09 (2016.01.28)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020150181157 (2015.12.17)
출원인 (재)한국나노기술원, 한국과학기술연구원, 아주대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0072681 (2017.06.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
3 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정해용 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 전동환 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 신찬수 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 박경호 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 박원규 대한민국 서울특별시 서초구
6 김민수 대한민국 서울특별시 송파구
7 한상욱 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 문성욱 대한민국 경기도 수원시 영통구
9 김상인 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
3 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1240220-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0112290-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0646031-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1055179-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1055180-56
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0228432-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0401091-74
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0401090-28
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0661059-90
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1137995-85
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번호 청구항
1 1
저 암전류 아발란치 포토다이오드로서,증폭층의 중심부에 형성되는 멀티플리케이션(multiplication) 영역과 그 주변에 형성되는 비-멀티플리케이션 영역을 포함하는 상기 증폭층; 상기 증폭층의 상단 및 하단에 배치되는 전극; 및상기 전극의 상기 상단 또는 상기 하단 한쪽에 위치되는 수광부를 포함하며,상기 전극은 멀티플리케이션 영역 및 비-멀티플리케이션 영역의 일부를 포함하도록 배치되고,상기 비-멀티플리케이션 영역 대 상기 멀티플리케이션 영역의 면적 비율이 1 보다 크고,상기 멀티플리케이션 영역의 증폭층 두께는 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 멀티플리케이션 영역은, 상기 증폭층의 중심부에 형성되고, 상기 비-멀티플리케이션 영역보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전극은 상기 수광부의 중심에 형성되는 수광 영역의 바깥에 배치되어 상기 수광 영역을 둘러싸는 형태로 구현되며, 상기 수광부는 상기 멀티플리케이션 영역보다 더 작은 크기로 구현되는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전극의 너비는 상기 멀티플리케이션 영역 및 상기 비-멀티플리케이션 영역 중 어느 하나의 영역을 상기 전극 전체 너비 중 1%이상 99%이하로 포함하는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전극은 AuBe, Pd, Zn, Sb, TiW, Ti, Pt, Au, Cr, Ni, AuGe, Sn, Al 중 둘 이상의 조합으로 이루어진 메탈로 구성하는 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 멀티플리케이션 영역의 증폭층 두께는 1um 이상이고,상기 증폭층의 도핑 농도는 1xe16(/㎠)이하인 것을 특징으로 하는 저 암전류 아발란치 포토다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 정보통신방송기술개발 및 표준화사업 양자암호 네트워킹 핵심기술 개발