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금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 나노다공성 금속 구조체를 형성하는 단계; 및상기 나노다공성 금속 구조체 내로 고분자가 침투되도록, 상기 나노다공성 금속 구조체에 고분자층을 압축시키는 단계를 포함하는 금속층과 고분자층의 접착 방법
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제1항에 있어서,상기 나노다공성 금속 구조체를 형성하는 단계는,상기 금속층 상에, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 합금층을 형성하는 단계;식각제를 이용하여 상기 제1 금속을 선택적으로 용해시키는 단계를 포함하는금속층과 고분자층의 접착 방법
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제2항에 있어서,상기 합금층을 형성하는 단계는 전착(electro-deposition) 방법을 이용하는금속층과 고분자층의 접착 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 금속은 금이고 상기 제2 금속은 은이고, 은 식각제를 이용하여 상기 은을 선택적으로 용해시키는금속층과 고분자층의 접착 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 금속은 금이고 상기 제2 금속은 백금이고, 금 식각제를 이용하여 상기 금을 선택적으로 용해시키는금속층과 고분자층의 접착 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자층을 압축시키는 단계는,상기 나노다공성 금속 구조체에 유리 전이된 상기 고분자층을 압축시키는금속층과 고분자층의 접착 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자층을 압축시키는 단계는,50 내지 300℃ 온도에서 수행되는금속층과 고분자층의 접착 방법
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희생용 기판 상에, 언더컷 구조의 제1 개구부를 포함하는 제1 몰드를 형성하는 단계;상기 제1 개구부 내에 금속 전극을 형성하는 단계;상기 금속 전극을 노출시키는 제2 개구부를 포함하는 제2 몰드를 형성하는 단계;상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 금속 전극의 제1면에 제1 나노다공성 금속 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 나노다공성 금속 구조체 내로 고분자가 침투되도록, 상기 제1 나노다공성 금속 구조체에 제1 고분자층을 압축시키는 단계;상기 금속 전극의 제2면을 노출시키도록 상기 희생용 기판을 제거하는 단계;상기 금속 전극의 제2면을 노출시키는 제3 개구부를 포함하는 제3 몰드를 형성하는 단계; 및상기 제3 개구부를 통해 노출된 상기 금속 전극의 제2면에 제2 나노다공성 금속 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 금속 전극의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 나노다공성 금속 구조체를 형성하는 단계는,상기 금속 전극 상에, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 합금층을 형성하는 단계;식각제를 이용하여 상기 제1 금속을 선택적으로 용해시키는 단계를 포함하는금속 전극의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 나노다공성 금속 구조체를 형성하는 단계는,상기 금속 전극 상에, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 합금층을 형성하는 단계;식각제를 이용하여 상기 제1 금속을 선택적으로 용해시키는 단계를 포함하는금속 전극의 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 고분자층을 압축시키는 단계는,상기 제1 나노다공성 금속 구조체에 유리 전이된 상기 제1 고분자층을 압축시키는 금속 전극의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 고분자층을 압축시키는 단계는,50 내지 300℃ 온도에서 수행되는금속 전극의 형성 방법
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