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기판, 금속 분말 및 세라믹 분말을 준비하는 단계, 및상기 금속 분말 및 상기 세라믹 분말을 분사하여 상기 기판을 코팅하는 단계를 포함하며,상기 금속 분말은 저온 분사 공정을 통해 코팅을 수행하고,상기 세라믹 분말은 열용사 공정을 통해 코팅을 수행하며,상기 금속 분말 및 상기 세라믹 분말의 코팅은 동시에 수행되는 금속 및 세라믹 복합재 형성 방법
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제1항에서, 상기 금속 분말은 순수 금속, 혼합 금속 및 합금 중 선택된 어느 하나 이상인 복합재 형성 방법
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제2항에서,상기 금속 분말은 알루미늄, 구리, 주석, 철 및 코발트 중 적어도 어느 하나 이상인 복합재 형성 방법
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제2항에서,상기 금속 분말의 입경은 5~ 200㎛인 복합재 형성 방법
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제1항에서,상기 세라믹 분말은 알루미나, 실리콘 카바이드, 텅스텐 카바이드 및 다이아몬드 중 적어도 어느 하나 이상인 복합재 형성 방법
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제5항에서,상기 세라믹 분말의 입경은 5~ 200㎛인 복합재 형성 방법
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제1항에서,상기 열용사 공정은 가스 화염 용사법, 저속 및 고속 화염 용사법, 폭발 용사법, 대기 플라즈마 용사법 및 감압 플라즈마 용사법 중에서 선택된 어느 하나인 복합재 형성 방법
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제1항에서,상기 저온 분사 공정은 저온 분사 노즐을 통해 수행하고,상기 열용사 공정은 상기 저온 분사 노즐과 별도의 열용사 노즐을 통해 수행하는 복합재 형성 방법
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기판, 금속 분말 및 세라믹 분말을 준비하는 단계, 및상기 금속 분말 및 상기 세라믹 분말을 분사하여 상기 기판을 코팅하는 단계를 포함하며,상기 금속 분말은 제1 금속 분말 및 상기 제1 금속 분말보다 상대적으로 경도가 높은 제2 금속 분말을 포함하고,상기 제1 금속 분말은 저온 분사 공정을 통해 코팅을 수행하고,상기 제2 금속 분말 및 상기 세라믹 분말은 열용사 공정을 통해 코팅을 수행하며,상기 금속 분말 및 상기 세라믹 분말의 코팅은 동시에 수행되는 금속 및 세라믹 복합재 형성 방법
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제9항에서,상기 금속 분말은 순수 금속, 혼합 금속 및 합금 중 선택된 어느 하나 이상인 복합재 형성 방법
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제10항에서,상기 세라믹 분말은 알루미나, 실리콘 카바이드, 텅스텐 카바이드 및 다이아몬드 중 적어도 어느 하나 이상인 복합재 형성 방법
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제11항에서,상기 금속 분말 및 상기 세라믹 분말의 입경은 5~ 200㎛인 복합재 형성 방법
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제9항에서,상기 저온 분사 공정은 저온 분사 노즐을 통해 수행되고,상기 열용사 공정은 상기 저온 분사 노즐과 별도의 열용사 노즐을 통해 수행하는 복합재 형성 방법
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