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탄화 규소 기판의 평탄화 방법(METHOD FOR PLANARIZATION OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2017010483
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화 규소 기판의 평탄화 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화 규소 기판의 평탄화 방법은 탄화 규소 기판의 표면을 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 이용하여 평탄화하는 방법에 있어서, 회전 정반의 회전 속도에 대한 기판 지지부의 회전 속도의 비가 0.5 이상이고, 1.5 이하이다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.01.19) H01L 21/304 (2016.01.19) H01L 21/306 (2016.01.19) H01L 21/683 (2016.01.19)
CPC H01L 21/02013(2013.01) H01L 21/02013(2013.01)
출원번호/일자 1020150180435 (2015.12.16)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0072435 (2017.06.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
2 전명철 대한민국 경북 포항시 남구
3 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
4 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
5 서한석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1235716-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0033365-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0176856-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0443554-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0443555-20
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788269-13
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0620396-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄화 규소 기판의 표면을 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 이용하여 평탄화하는 방법에 있어서,회전 정반의 회전 속도에 대한 기판 지지부의 회전 속도의 비가 0
2 2
제1 항에 있어서,상기 회전 정반의 회전 속도는 10rpm 이상이고, 50rpm 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 기판 지지부의 회전 속도는 5rpm 이상이고, 40rpm 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 회전 정반의 회전 속도에 대한 기판 지지부의 회전 속도의 비가 0
5 5
제4 항에 있어서,상기 회전 정반의 회전 속도는 10rpm 이상이고, 50rpm 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 기판 지지부의 회전 속도는 7rpm 이상이고, 40rpm 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 회전 정반의 회전 속도는 30rpm 이상이고, 50rpm 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 기판 지지부의 회전 속도는 30rpm 이상이고, 40rpm 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 탄화 규소 기판의 연마율은 100nm/h 이상이고, 500nm/h 이하인 탄화 규소 기판의 평탄화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술