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탄화규소 단결정의 성장을 위해 물리적 기상 수송법(Physical Vapor Transport, PVT) 법을 사용하는 탄화규소 단결정의 제조 방법에서, 도가니 내에 탄소원 및 규소원을 포함하는 혼합물을 공급하는 단계, 및 상기 혼합물을 가열하는 단계를 포함하고, 상기 도가니를 가열하는 단계 이후의 상기 도가니 내의 수직 방향의 온도 구배는 3 도(℃)/cm 이하인 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제1항에서,상기 혼합물은 도핑 기체를 더 포함하며, 상기 도핑 기체의 함량은 30 내지 60 ppm 인 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제2항에서,상기 도핑 기체는 질소계 기체인 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제1항에서, 상기 도가니 내부 탄소/규소의 함량비는 0
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제1항에서,상기 도가니 내에 불활성 기체를 주입하는 단계, 및상기 불활성 기체를 이용하여 퍼징(purging)하는 단계를 더 포함하는 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제1항에서,상기 도가니를 가열하는 단계에서, 상기 도가니 내의 온도는 2000도(℃) 내지 2400도(℃)이고, 상기 도가니 내의 압력은 대기압인 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제6항에서,상기 도가니 내의 압력을 1 torr 내지 50 torr로 감압하는 단계를 더 포함하는 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제1항에서,바나듐을 도핑하지 않는 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법
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제1항 내지 제8항의 반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법을 사용하여 제조한 반절연 탄화규소 단결정
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제9항에서,상기 탄화규소 단결정이 포함하는 질소 농도는 1017 /cm3이하인 탄화규소 단결정
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