| 1 |
1
복수의 전송 라인들;복수의 수신 라인들; 및상기 복수의 전송 라인들에 연결된 센서 유닛들을 갖는 센서 어레이를 포함하고,상기 센서 유닛들 각각은,상기 복수의 전송 라인들 중 대응하는 전송 라인에 공통으로 연결된 게이트단 및 일단을 갖는 스위치 트랜지스터; 및상기 스위치 트랜지스터의 타단과 상기 복수의 수신 라인들 중 대응하는 수신 라인 사이에 연결되는 센서 트랜지스터를 포함하고,지문을 터치하는 가상의 게이트단의 전압에 응답하여 상기 센서 트랜지스터가 턴온되는 지문 인식 센서
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 복수의 전송 라인들을 제어하는 전송 라인 제어기를 더 포함하는 지문 인식 센서
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 전송 라인 제어기는, 제 1 시간 동안 상기 전송 라인으로 상기 스위치 트랜지스터를 턴온시키는 전원 전압을 인가하고, 상기 제 1 시간 이후 제 2 시간 동안 상기 스위치 트랜지스터를 턴오프시키는 접지 전압을 인가하는 지문 인식 센서
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 복수의 수신 라인들 각각에 연결되고, 대응하는 수신 라인의 전압과 기준 전압을 비교하고, 상기 비교 결과값에 대응하는 출력값을 발생하는 비교기들을 더 포함하는 지문 인식 센서
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,백플레인 층 위에 상기 센서 트랜지스터가 형성되고,상기 센서 트랜지스터의 상기 플로팅 게이트단 위에 패시베이션 층이 형성되고,상기 패시베이션 층은 상기 가상의 게이트단을 포함하는 지문 인식 센서
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 패시베이션 층 위에 커버 글래스 층이 형성되고,상기 커버 글래스 층은 상기 가상의 게이트단을 포함하는 지문 인식 센서
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,패시베이션 층 위에 상기 센서 트랜지스터가 형성되고,상기 센서 트랜지스터 위에 백플레인 층이 형성되고,상기 백플레인 층은 상기 가상의 게이트단을 포함하는 지문 인식 센서
|
| 8 |
8
복수의 전송 라인들;복수의 수신 라인들;복수의 전원 라인들; 및상기 복수의 전송 라인들에 연결된 센서 유닛들을 갖는 센서 어레이를 포함하고,상기 센서 유닛들 각각은,상기 복수의 전송 라인들 중 대응하는 전송 라인에 연결된 게이트단 및 상기 복수의 전원 라인들 중 대응하는 전원 라인에 연결된 일단을 갖는 스위치 트랜지스터; 및상기 스위치 트랜지스터의 타단과 상기 복수의 수신 라인들 중 대응하는 수신 라인 사이에 연결되는 센서 트랜지스터를 포함하고,지문을 터치하는 가상의 게이트단의 전압에 응답하여 상기 센서 트랜지스터가 턴온되는 지문 인식 센서
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,지문 인식 동작시 상기 복수의 전원 라인들 각각에 전원 전압이 인가되는 지문 인식 센서
|
| 10 |
10
지문을 인식하고, 데이터를 디스플레이하는 터치스크린 센서; 및상기 터치스크린 센서를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 터치스크린 센서는,센서 트랜지스터; 및 상기 센서 트랜지스터의 일단이 연결된 스위치 트랜지스터를 갖는 지문 인식 센서를 포함하고,지문을 터치하는 가상의 게이트단의 전압에 응답하여 상기 센서 트랜지스터가 턴온되는 전자 장치
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 지문 인식 센서는 상기 센서 트랜지스터의 타단에 연결된 수신 라인을 더 포함하는 전자 장치
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 지문 인식 센서는 상기 센서 트랜지스터의 턴온 동작에 응답하여 상기 수신 라인에 전류를 제공하는 전송 라인을 더 포함하고,상기 스위치 트랜지스터의 게이트단과 타단은 상기 전송 라인에 연결되는 전자 장치
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 지문 인식 센서는 상기 센서 트랜지스터의 턴온 동작에 응답하여 상기 수신 라인에 전류를 제공하는 전원 라인을 더 포함하고,상기 스위치 트랜지스터의 게이트단은 상기 전송 라인에 연결되고,상기 스위치 트랜지스터의 타단은 상기 전원 라인에 연결되는 전자 장치
|
| 14 |
14
제 11 항에 있어서,상기 센서 트랜지스터 위에 패시베이션 층; 및 상기 패시베이션 층 위에 커버 글래스 층이 형성되고,상기 커버 글래스 층은 상기 가상의 게이트단을 포함하는 전자 장치
|
| 15 |
15
제 11 항에 있어서,상기 센서 트랜지스터 위에 백플레인 층이 형성되고,상기 백플레인 층은 상기 가상의 게이트단을 포함하는 전자 장치
|
