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헥사페라이트(hexaferrite)를 포함하는 자성체 입자, 및2 이상의 나노 파이버(nanofiber)로 이루어진 나노 파이버 기재(nano fiber matrix)를 포함하는 자성 시트로서,상기 자성체 입자는 상기 나노 파이버 기재에 분산되어 있는 자성 시트
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제1항에서,상기 자성체 입자는 M형 헥사페라이트, 및 W형 헥사페라이트 중 적어도 하나를 포함하는 자성 시트
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제2항에서,상기 자성체 입자는 하기의 화학식 1을 만족하는 자성 시트
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제2항에서,상기 자성체 입자는 하기의 화학식 2를 만족하는 자성 시트
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제1항에서,상기 자성체 입자는 경자성체(硬磁性體)인 자성 시트
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제1항에서,상기 자성체 입자는 상기 자성 시트의 전체 중량을 기준으로 5 중량% 이상 함유되어 있는 자성 시트
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제1항에서,상기 자성체 입자의 크기는 0 초과 50㎛ 이하인 자성 시트
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제1항에서,상기 나노 파이버의 직경은 5nm 내지 100nm 인 자성 시트
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제1항에서,상기 나노 파이버는 셀룰로오스(cellulose) 나노 파이버를 포함하는 자성 시트
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제1항에서,상기 자성체 입자를 상기 나노 파이버에 부착시키는 커플링(coupling) 물질을 더 포함하는 자성 시트
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제10항에서,상기 커플링 물질은 친수성기를 포함하는 실란계 화합물인 자성 시트
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제11항에서,상기 커플링 물질은 적어도 아민계 작용기를 포함하는 자성 시트
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제11항에서,상기 커플링 물질은 실란 화합물을 포함하고,상기 실란 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 단량체를 포함하는 자성 시트
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 자성 시트를 포함하는 스피커
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 자성 시트를 제조하는 방법에 있어서,상기 자성체 입자를 합성하는 단계,상기 자성체 입자를 나노 파이버 함유액과 혼합하는 단계, 및형성된 상기 나노 파이버 기재와 상기 자성체 입자를 건조하는 단계를 포함하는 자성 시트 제조 방법
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제15항에서,상기 자성체 입자 합성 단계에서, 상기 자성체 입자는 용매열합성(solvothermal synthesis) 방법을 통해 합성되는 자성 시트 제조 방법
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제16항에서,상기 용매열합성은 200 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도에서 수행되는 자성 시트 제조 방법
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제15항에서,상기 합성된 자성체 입자를 커플링(coupling) 처리하는 단계를 더 포함하는 자성 시트 제조 방법
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제15항에서,상기 건조 단계에서 상기 나노 파이버 기재, 및 상기 자성체 입자를 가압하는 자성 시트 제조 방법
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제19항에서,상기 나노 파이버 기재, 및 상기 자성체 입자를 20 MPa 내지 80 MPa 의 압력으로 가압하는 자성 시트 제조 방법
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