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기판 상부에 제1 전극을 형성하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 형성된 제1 전극 상부에 전자 수송층으로서 산화아연 박막을 형성하는 단계(단계 b);상기 단계 b에서 형성된 전자 수송층 상부에 광활성층을 형성하는 단계(단계 c);상기 단계 c에서 형성된 광활성층 상부에 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 d); 및상기 단계 d에서 형성된 정공 수송층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계(단계 e);를 포함하는 유기태양전지 제조 방법이되,상기 단계 b의 산화아연 박막은,아연 전구체를 포함하는 산화아연 졸-겔 전구체 용액을 제조하여, 상기 산화아연 졸-겔 전구체 용액에 100 kGy 내지 420 kGy의 조사량으로 전자선을 조사하는 단계(단계 1); 및상기 전자선이 조사된 산화아연 졸-겔 전구체 용액을 기판 상에 도포한 후, 100 ℃ 내지 250 ℃의 온도로 열처리하여 수직 배향성을 갖는 산화아연 박막을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 유리, 석영, 폴리에틸렌 테레프타레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthelate:PEN), 폴리이미드(polyimide:PI), 폴리카보네이트(polycarbonate:PC), 폴리스틸렌(polystylene:PS), 폴리옥시에틸렌(polyoxyethlene:POM), 아크릴로나이트릴-스타이렌수지 (acrylonitilestyrene copolymer:AS 수지) 및 트리아세틸 셀룰로오즈(Triacetyl cellulose:TAC)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제1 전극은 산화인듐주석(ITO;Indium Tin Oxide), 플루오르화 틴 옥사이드(FTO;Fluorine-doped Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO;Indium Zinc Oxide), 도핑된 산화인듐주석(doped indium tin oxide), 산화인듐아연주석(IZTO;Indium Zinc Tin Oxide), 투명 산화물, 전도성 고분자, 탄소나노튜브 박막, 그래핀 박막, 산화 그래핀 박막, 금속이 결합된 탄소나노튜브 박막으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광활성층은 전자 주개(electron donor) 및 전자 받개(electron acceptor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제15항에 있어서,상기 전자 주개 물질은 poly[4,5-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophene-2-yl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-co-3-fluorothieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate(PCE-10), poly-3-hexylthiophene(P3HT), poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b'] dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[4,5-b]thiophenediyl]](PTB7)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제15항에 있어서,상기 전자 받개 물질은 [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester(PC61BM), [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester(PC71BM), indene-C 60 bisadduct(ICBA)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제12항에 있어서,상기 정공 수송층은 금속 산화물로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제2 전극은 금속, 합금, 전도성 고분자 및 전도성 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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