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질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법(Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017010759
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판의 상면에 금속층을 형성한 후, 금속층 위에 금속층의 일정 영역을 노출하는 개구를 가지는 소정 패턴의 마스크층을 형성하는 단계와; 마스크층의 개구에 복수의 n-질화물 나노막대 구조물을 형성하는 단계와; 복수의 n-질화물 나노막대 구조물 위에 n형 클래드층, 활성층을 포함한 다중양자우물 디스크 구조체 또는 다중양자우물 동축 구조체, 및 p형 클래드층을 차례로 적층 형성하는 단계와; p형 클래드층 위에 p-질화물을 소정 높이로 형성하는 단계와; 마스크층을 제거하여 금속층을 노출시키는 단계와; 노출된 금속층의 표면과 복수의 나노막대 구조물 사이의 공간에 절연물질을 충전하고 경화시키는 단계; 및 복수의 나노막대 구조물의 상단면 및 절연물질의 상단면에 걸쳐 금속 콘택층을 형성 및 금속 콘택층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명에 의하면, 기판상에 형성된 금속층 또는 금속재질의 기판상에 질화물 나노막대 구조의 발광소자를 형성함으로써, 발광소자의 n-전극을 용이하게 형성할 수 있고, 발광소자에 의한 광방출시 나노막대 하부의 금속층 또는 금속 기판에 의한 반사로 광추출 효율을 증진시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/32 (2016.02.04) H01L 33/20 (2016.02.04) H01L 33/10 (2016.02.04) H01L 33/16 (2016.02.04)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020150183086 (2015.12.21)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0074296 (2017.06.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종민 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 송근만 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 조주영 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 최재혁 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1253393-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0052335-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0023737-40
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0236259-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0236260-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0525030-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0928487-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0928488-56
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0067530-51
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0203143-06
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.02.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0203144-41
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0155941-00
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번호 청구항
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a) 기판의 상면에 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 위에 금속층의 일정 영역을 노출하는 개구를 가지는 소정 패턴의 마스크층을 형성하는 단계와;b) 상기 마스크층의 개구에 복수의 n-질화물 나노막대 구조물을 형성하는 단계와; c) 상기 복수의 n-질화물 나노막대 구조물 위에 n형 클래드층, 활성층을 포함한 다중양자우물 디스크 구조체 및 p형 클래드층을 차례로 적층 형성하는 단계와;d) 상기 p형 클래드층 위에 p-질화물을 소정 높이로 형성하는 단계와;e) 상기 마스크층을 제거하여 상기 금속층을 노출시키는 단계와;f) 상기 노출된 금속층의 표면과 상기 복수의 나노막대 구조물 사이의 공간에 절연물질을 충전하고 경화시키는 단계; 및g) 상기 복수의 나노막대 구조물의 상단면 및 상기 절연물질의 상단면에 걸쳐 금속 콘택층을 형성 및 금속 콘택층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 단계 b)에서 복수의 n-GaN 나노막대 구조물을 MBE(molecular beam epitaxy)를 이용한 성장에 의해 형성하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 단계 c)에서 상기 활성층을 포함한 다중양자우물 디스크 구조체는 InGaN/GaN의 조성을 가지는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 금속층의 금속의 용융점 온도가 상기 질화물 나노막대 구조물의 성장온도보다 상대적으로 더 높은 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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국가 R&D 정보가 없습니다.