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하드 마스크 조성물, 탄소 나노 튜브 막구조체, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치 제조 방법(COMPOSITION FOR HARD MASK LAYER AND CARBON NANOTUBE LAYER STRUCTURE AND METHOD OF FORMING PATTERNS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2017010807
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하드 마스크 조성물, 탄소 나노 튜브 막구조체, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치 제조 방법을 제공한다. 반도체 장치 제조 방법은 반도체 기판 상에, 하드 마스크 조성물을 이용하여 하드 마스크층을 형성하고, 상기 하드 마스크층을 패터닝하여 하드 마스크 패턴을 형성하고, 상기 하드 마스크 패턴을 통해, 상기 반도체 기판을 식각하여 반도체 패턴을 형성하는 것을 포함하고, 상기 하드 마스크 조성물은 제1 길이를 가지는 복수 개의 제1 탄소 나노 튜브, 상기 제1 길이의 3배 이상인 제2 길이를 가지는 복수 개의 제2 탄소 나노 튜브 및 상기 복수 개의 제1 및 제2 탄소 나노 튜브가 분산되는 분산 용매를 포함하고, 상기 복수 개의 제1 탄소 나노 튜브의 총 질량은 상기 복수 개의 제2 탄소 나노 튜브 총 질량의 1 내지 2.5배이다.
Int. CL H01L 21/308 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01)
출원번호/일자 1020150185961 (2015.12.24)
출원인 삼성전자주식회사, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0076112 (2017.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양승윤 대한민국 경상남도 밀양시 중앙로 ***-
2 이승현 대한민국 부산광역시 사하구
3 박경실 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 강율 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 김이슬 대한민국 대전광역시 서구
6 최윤석 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1268235-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
5 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-1170617-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에, 하드 마스크 조성물을 이용하여 하드 마스크층을 형성하고,상기 하드 마스크층을 패터닝하여 하드 마스크 패턴을 형성하고,상기 하드 마스크 패턴을 통해, 상기 반도체 기판을 식각하여 반도체 패턴을 형성하는 것을 포함하고,상기 하드 마스크 조성물은 제1 길이를 가지는 복수 개의 제1 탄소 나노 튜브, 상기 제1 길이의 3배 이상인 제2 길이를 가지는 복수 개의 제2 탄소 나노 튜브 및 상기 복수 개의 제1 및 제2 탄소 나노 튜브가 분산되는 분산 용매를 포함하고,상기 복수 개의 제1 탄소 나노 튜브의 총 질량은 상기 복수 개의 제2 탄소 나노 튜브 총 질량의 1 내지 2
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 길이는 150 내지 300nm인 반도체 장치 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 하드 마스크층을 형성하는 것은, 상기 복수 개의 제1 및 제2 탄소 나노 튜브 사이를 충진하는 고분자 바인더를 더 포함하는 하드 마스크 조성물을 이용하여 상기 하드 마스크층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 고분자 바인더는 상기 하드 마스크 조성물에 대하여 20wt% 이하의 중량비를 가지는 반도체 장치 제조 방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 고분자 바인더는, 상기 하드 마스크 조성물에 대한 상기 제1 및 제2 탄소 나노 튜브 중량비의 1/4 배 이하의 중량비를 가지는 반도체 장치 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 하드 마스크 조성물은 계면 활성제를 더 포함하는 반도체 장치 제조 방법
7 7
제1 길이를 가지는 복수 개의 제1 탄소 나노 튜브;상기 제1 길이의 3배 이상인 제2 길이를 가지는 복수 개의 제2 탄소 나노 튜브; 및상기 복수 개의 제1 및 제2 탄소 나노 튜브가 분산되는 분산 용매를 포함하고,상기 복수 개의 제1 탄소 나노 튜브의 총 질량은 상기 복수 개의 제2 탄소 나노 튜브 총 질량의 1 내지 2
8 8
제 7항에 있어서,상기 제1 길이는 150 내지 300nm인 하드 마스크 조성물
9 9
제 7항에 있어서,상기 복수 개의 제1 및 제2 탄소 나노 튜브와 혼합되는 고분자 바인더를 더 포함하고, 상기 고분자 바인더의 중량비는 20wt% 이하인 하드 마스크 조성물
10 10
제 7항에 있어서,상기 복수 개의 제1 및 제2 탄소 나노 튜브와 혼합되는 고분자 바인더를 더 포함하고, 상기 고분자 바인더의 중량비는 상기 제1 및 제2 탄소 나노 튜브 중량비의 1/4 배 이하인 하드 마스크 조성물
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09892915 US 미국 FAMILY
2 US20170186602 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017186602 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9892915 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.