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반도체 압력센서 및 그의 제조방법(Semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017010923
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고온에서도 사용가능하고 내전압특성이 우수하여 신뢰성이 향상된 반도체 압력센서 및 그의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 압력센서 제조방법에서는 제1 n형 반도체층 상에 제1절연층을 형성하고, 제1절연층 상에 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층을 순차 형성하고, 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부를 제거하여 압저항 소자영역에 대응하도록 제1절연층을 노출시키고, 노출된 영역에 제2절연층을 형성한 후 제2절연층의 일부를 제거하여 p형 반도체층을 노출시켜 전극부를 형성하여 반도체 압력센서를 제조한다.
Int. CL H01L 41/113 (2006.01.01) H01L 41/22 (2006.01.01) G01L 9/00 (2006.01.01) H01L 27/04 (2006.01.01)
CPC H01L 41/1132(2013.01) H01L 41/1132(2013.01) H01L 41/1132(2013.01) H01L 41/1132(2013.01) H01L 41/1132(2013.01)
출원번호/일자 1020150187666 (2015.12.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0077611 (2017.07.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.14)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조남규 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1277072-39
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0781252-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0112481-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0628763-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1126943-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1126906-19
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0190109-39
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0382830-97
10 법정기간연장승인서
2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0064962-27
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.05.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0490622-52
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0490610-15
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0361376-79
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1 n형 반도체층 상에 제1절연층을 형성하는 제1단계;상기 제1절연층 상에 제2 n형 반도체층을 형성하는 제2단계;상기 제1 n형 반도체층의 하부에 보호막을 증착하고, 상기 제2 n형 반도체층 상에 p형 반도체층을 형성하는 제3단계;상기 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부를 제거하여 압저항 소자영역에 대응하도록 상기 제1절연층을 노출시키는 제4단계;상기 p형 반도체층 및 상기 노출된 제1절연층 상에 제2절연층을 형성하는 제5단계; 및상기 제2절연층의 일부를 제거하여 상기 p형 반도체층을 노출시키고, 노출된 상기 p형 반도체층을 외부와 전기적으로 연결시킬 수 있도록 전극부를 형성하는 제6단계; 및상기 보호막을 패터닝하여 다이어프램 영역을 정의하고, 상기 제1 n형 반도체층의 일부를 제거하여 다이어프램을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 압력센서 제조방법으로서, 상기 제4단계에서,상기 압저항 소자영역에 대응하도록 상기 제1절연층을 노출시키는 것은 순차 적층된 상기 제2 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층의 일부가 제거되어 제거된 영역 이외의 영역에 잔존하는 순차 적층된 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층이 압저항 소자가 되도록 하는 것이고, 상기 압저항 소자는,하면은 제1절연층으로 절연되고, 측면 및 상면은 제2절연층으로 절연되는 것인 반도체 압력센서 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1 n형 반도체층의 하부에 지지기판을 접합하는 단계;를 더 포함하는 반도체 압력센서 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전자부품연구원 기술이전사업화촉진사업 침구 진공청소기용 초소형 압력센서 모듈, 신뢰성 및 상용화 기술 개발