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기판-반사층 복합체 및 이의 제조방법(Complex of substrate-reflection layer and manufacturing method of the same)

  • 기술번호 : KST2017010953
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 브래그 스택 구조를 포함하는 기판-반사층 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 메조 기공을 갖는 반사층을 전극에 코팅하여 특정 파장 영역에서의 반사율을 향상시킬 수 있는 기판-반사층 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판-반사층 복합체 및 이의 제조방법은 이산화규소 전구체에 고분자 지지체를 투입하여 메조 기공을 갖는 이산화규소 층을 포함하는 브래그 스택 구조의 반사층을 형성할 수 있어, 특정 파장 영역대인 600 내지 800 nm에서의 빛 흡수량을 향상시키는데 효과적이다. 또한, 상기 반사층을 전극에 코팅함으로써, 전지의 효율을 향상시킴과 동시에 투명한 소재로 제조할 수 있어, 특정 분야에 한정되지 않고 모든 분야에 폭넓게 응용이 가능하다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020150187660 (2015.12.28)
출원인 연세대학교 산학협력단, 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1968239-0000 (2019.04.05)
공개번호/일자 10-2017-0077609 (2017.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20190411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.28)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종학 대한민국 서울특별시 양천구
2 이창수 대한민국 경기도 과천시 별양로 **,
3 박정태 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 전북대학교 산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1277033-69
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0015659-63
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0014879-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0101681-03
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0546240-73
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1002567-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1094578-41
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1094579-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 등록결정서
Decision to grant
2019.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0215986-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 및 상기 기판 위에 형성된 반사층으로 구성된 기판-반사층 복합체로서,상기 반사층은 이산화규소 층과 이산화티타늄 층이 교대로 적층되어 구성되고,상기 이산화규소 층은 제1 양친성 고분자와 이산화규소를 포함하며,상기 이산화티타늄 층은 제2 양친성 고분자와 이산화티타늄을 포함하고,상기 제1 양친성 고분자는 제1 친수성 세그먼트와 제1 소수성 세그먼트를 포함하는 공중합체이며,상기 제1 친수성 세그먼트는 폴리옥시에틸렌메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 가수분해된 t-부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, 아미노스티렌, 스티렌 술폰산, 메틸프로펜 술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, 술포에틸(메타)아크릴레이트 및 술포부틸(메타)아크릴레이트 중에서 선택되고,상기 제1 소수성 세그먼트는 폴리비닐클로라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로메탄, 폴리비닐리덴디클로라이드 및 폴리비닐리덴 플루오라이드-co-클로로트리플루오로에틸렌 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 양친성 고분자는 제2 친수성 세그먼트와 제2 소수성 세그먼트를 포함하는 공중합체이며,상기 제2 친수성 세그먼트는 폴리옥시에틸렌메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 가수분해된 t-부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, 아미노스티렌, 스티렌 술폰산, 메틸프로펜 술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, 술포에틸(메타)아크릴레이트 및 술포부틸(메타)아크릴레이트 중에서 선택되며,상기 제2 소수성 세그먼트는 폴리비닐클로라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로메탄, 폴리비닐리덴디클로라이드 및 폴리비닐리덴 플루오라이드-co-클로로트리플루오로에틸렌 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 양친성 고분자는 제1 친수성 세그먼트와 제1 소수성 세그먼트는 중량비가 1 : 1 내지 7이고,상기 제2 양친성 고분자는 제2 친수성 고분자 세그먼트와 제2 소수성 고분자 세그먼트는 중량비가 1 : 1 내지 7인 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체
4 4
제1항에 있어서,상기 이산화규소층은 직경이 10 내지 150 nm인 복수 개의 기공을 갖고, 굴절률은 0
5 5
제1항에 있어서,상기 이산화규소 층은 각 층의 두께는 d1, d2,
6 6
제1항에 있어서,상기 이산화규소 층과 이산화티타늄 층의 총 합은 6 내지 12 개 층인 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 기판-반사층 복합체; 및 상기 기판-반사층 복합체의 양면 중에서 상기 반사층의 반대 면에 형성된 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 상대전극
8 8
제7항에 따른 상대전극, 광전극 및 상기 상대전극과 상기 광전극 사이에 위치한 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제8항에 따른 태양전지를 포함하는 것을 특징으로 하는 건물 통합 태양전지(BIPV)
10 10
(A) 기판의 상부 면에 제1 용액과 제2 용액을 교대로 도포하고 소성시키는 단계를 포함하는 기판-반사층 복합체 제조방법으로서,상기 제1 용액은 이산화규소 전구체와 제1 양친성 고분자를 포함하고,상기 제2 용액은 이산화티타늄 전구체와 제2 양친성 고분자를 포함하고,상기 이산화규소 전구체는 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라에틸실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 디클로로실란, 에톡시트리에틸실란, 테트라키스디메틸아미노실란, 트리아세톡시메틸실란, 트리클로로헥실실란 및 트리에톡시옥틸실란 중에서 선택된 1종 이상이고,상기 이산화티타늄 전구체는 티타늄 이소프로폭사이드, 티타늄 디이소프로폭사이드 디이소프로폭사이드 비스아세틸아세토네이트, 티타늄(II) 클로라이드, 티타늄(III) 클로라이드, 티타늄(IV) 클로라이드, 티타늄(IV) 에톡시드, 티타늄(IV) 프로폭사이드, 티타늄(IV) 2-에틸헥실옥사이드, 티타늄(IV) 부톡사이드 및 티타늄(IV) 테트라-부톡사이드 중에서 선택된 1종 이상이며,상기 제1 양친성 고분자는 제1 친수성 세그먼트와 제1 소수성 세그먼트를 포함하는 공중합체이며,상기 제1 친수성 세그먼트는 폴리옥시에틸렌메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 가수분해된 t-부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, 아미노스티렌, 스티렌 술폰산, 메틸프로펜 술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, 술포에틸(메타)아크릴레이트 및 술포부틸(메타)아크릴레이트 중에서 선택되고,상기 제1 소수성 세그먼트는 폴리비닐클로라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로메탄, 폴리비닐리덴디클로라이드 및 폴리비닐리덴 플루오라이드-co-클로로트리플루오로에틸렌 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 (A) 단계는, (A1) 상기 기판의 상부 면에 상기 제1 용액을 도포하고 소성시켜 제1 이산화규소 층을 형성하는 단계; 및(A2) 상기 제1 이산화규소 층의 상부 면에 상기 제2 용액을 도포하고 소성시켜 제1 이산화티타늄 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 (A) 단계는,(A3) 상기 제1 이산화티타늄 층의 상부 면에 제1 용액을 도포하고 소성시켜 제2 이산화규소 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 기판-반사층 복합체의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 (A) 단계는,(A4) 상기 제2 이산화규소 층의 상부 면에 제2 용액을 도포하고 소성시켜 제2 이산화티타늄 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 (A) 단계는 (A'1) 상기 기판의 상부 면에 상기 제2 용액을 도포하고 소성시켜 제1 이산화티타늄 층을 형성하는 단계; 및(A'2) 상기 제1 이산화티타늄 층의 상부 면에 상기 제1 용액을 도포하고 소성시켜 제1 이산화규소 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 (A) 단계는 (A'3) 상기 제1 이산화규소 층의 상부 면에 제2 용액을 도포하고 소성시켜 제2 이산화티타늄 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 (A) 단계는(A'4) 상기 제2 이산화티타늄 층의 상부 면에 제1 용액을 도포하고 소성시켜 제2 이산화규소 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
17 17
제10항에 있어서,상기 제1 용액은 이산화규소 전구체와 제1 양친성 고분자를 1 : 0
18 18
제10항에 있어서,상기 제1 용액은 pH가 4 내지 6인 것을 특징으로 하는 기판-반사층 복합체의 제조방법
19 19
(a) 기판, 및 (b) 상기 기판 위에 제1 양친성 고분자와 이산화규소를 포함하는 이산화규소 층과 제2 양친성 고분자와 이산화티타늄을 포함하는 이산화티타늄 층이 교대로 적층되어 형성된 반사층을 포함하는 기판-반사층 복합체에 있어서,상기 이산화규소 층과 이산화티타늄 층의 두께와 굴절률을 조절하며,상기 제1 양친성 고분자는 제1 친수성 세그먼트와 제1 소수성 세그먼트를 포함하는 공중합체이며,상기 제1 친수성 세그먼트는 폴리옥시에틸렌메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 가수분해된 t-부틸(메타)아크릴레이트, 아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, 아미노스티렌, 스티렌 술폰산, 메틸프로펜 술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, 술포에틸(메타)아크릴레이트 및 술포부틸(메타)아크릴레이트 중에서 선택되고,상기 제1 소수성 세그먼트는 폴리비닐클로라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로메탄, 폴리비닐리덴디클로라이드 및 폴리비닐리덴 플루오라이드-co-클로로트리플루오로에틸렌 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사층 최대 반사 파장 값 조절방법
20 20
제19항에 있어서,상기 이산화규소 층의 굴절률 조절은 제1 양친성 고분자의 친수성 세그먼트와 소수성 세그먼트의 비율을 조절함으로써 수행되며,상기 이산화티타늄 층의 굴절률 조절은 제2 양친성 고분자의 친수성 세그먼트와 소수성 세그먼트의 비율을 조절함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반사층 최대 반사 파장 값 조절방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 국제기관간MOU지원사업 정렬된 메조기공 TiO2 나노구조체 기반의 페로브스카이트 태양전지