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입력 신호를 증폭하는 증폭회로;상기 증폭회로와 함께 집적화되며, 상기 증폭 회로에서 출력되는 2차 고조파 주파수의 임피던스 정합을 위한 제1 정합회로; 및상기 증폭 회로에서 출력되는 동작 주파수 대역의 임피던스 정합을 위한 제2 정합회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 제1 정합회로는,세라믹 소재로 구현된 것을 특징으로 하는 전력증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 증폭회로와 상기 제1 정합회로는, 집적화된 패키지 내부에서 와이어로 직접 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전력증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 증폭회로는,GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)인 것을 특징으로 하는 전력증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 제2 정합회로는,상기 증폭회로와 상기 제1 정합회로가 집적화된 패키지의 출력단에 마련되는 것을 특징으로 하는 전력증폭기
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증폭회로가, 입력 신호를 증폭하는 단계;상기 증폭회로와 함께 집적화된 제1 정합회로가, 상기 증폭단계에서 출력되는 2차 고조파 주파수의 임피던스 정합을 수행하는 단계; 및제2 정합회로가, 상기 증폭단계에서 출력되는 동작 주파수 대역의 임피던스 정합을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭방법
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