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트렌치 필링을 이용한 트랜치 모스 배리어 쇼트키(Trench MOS Barrier Schottky) 구조(Trench MOS Barrier Schottky(TMBS) with using trench filling)

  • 기술번호 : KST2017011120
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜치 모스 배리어 쇼트키(Trench MOS Barrier Schottky) 구조에 관한 것으로서, 드리프트 영역, 드리프트 영역 상단에 위치하여 드리프트 영역과 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층 및 드리프트 영역과 금속층이 형성하는 쇼트키 장벽에서 드리트프 영역 방향으로 삽입되어 형성되는 필라(pillar)를 포함함으로써 높은 항복전압과 낮은 온저항을 가진다.
Int. CL H01L 29/872 (2016.02.06) H01L 29/40 (2016.02.06) H01L 29/66 (2016.02.06) H01L 29/06 (2016.02.06) H01L 21/768 (2016.02.06)
CPC H01L 29/8725(2013.01) H01L 29/8725(2013.01) H01L 29/8725(2013.01) H01L 29/8725(2013.01) H01L 29/8725(2013.01)
출원번호/일자 1020150184746 (2015.12.23)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0075289 (2017.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광수 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 김태완 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1262619-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0067952-70
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0298398-90
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0403519-60
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0502958-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0610645-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0610665-17
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0741138-53
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1167295-81
11 법정기간연장승인서
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0169985-82
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1292631-28
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.26 무효 (Invalidation) 1-1-2017-1292663-89
14 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0006226-69
15 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2018.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0032408-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트랜치 모스 배리어 쇼트키(Trench MOS Barrier Schottky) 구조에 있어서,드리프트 영역;상기 드리프트 영역 상단에 위치하여 상기 드리프트 영역과 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층; 및상기 드리프트 영역과 금속층이 형성하는 쇼트키 장벽에서 드리트프 영역 방향으로 삽입되어 형성되는 필라(pillar)를 포함하는 구조
2 2
제 1 항에 있어서,트랜치 모스 배리어 쇼트키 구조는,상기 드리프트 영역 하단에 위치하는 N 타입 기판;상기 드리프트 영역 상단 좌우에 트랜치 형태를 가지며, 상기 트랜치의 하단 및 측면에 위치하는 산화물;상기 기판의 하단에 위치하는 캐소드전극; 및상기 금속층 상단에 위치하는 애노드전극을 포함하고,상기 드리프트 영역은 N 타입으로 형성되며,상기 금속층은,상기 산화물 및 상기 산화물이 형성되지 않은 드리프트 상단에 위치하는 것을 특징으로 하는 구조
3 3
제 1 항에 있어서,상기 필라는,상기 금속층과 접합하여 쇼트키 장벽을 형성하는 드리프트 영역의 중앙에 위치하는 막대 형태의 P 타입 필라인 것을 특징으로 하는 구조
4 4
제 1 항에 있어서,상기 필라는 상기 드리프트 영역과 전하 균형을 이루는 것을 특징으로 하는 구조
5 5
제 2 항에 있어서,상기 필라의 도핑농도 또는 너비에 따라 트랜치 코너에서 형성되는 전기장을 분산시키는 정도가 달라지는 것을 특징으로 하는 구조
6 6
제 1 항에 있어서,상기 필라는 슈퍼 정션(super-junction)으로 작용하는 것을 특징으로 하는 구조
7 7
제 2 항에 있어서,상기 트랜치의 하단과 측면은 금속 산화물 반도체(MOS) 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 구조
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 구조를 포함하는 반도체 정류기
9 9
트랜치 모스 배리어 쇼트키(Trench MOS Barrier Schottky) 구조를 형성하는 방법에 있어서,N 타입 기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 N 타입 드리프트 영역을 형성하는 단계;상기 드리프트 영역을 트랜치 에칭하고, 에칭한 영역에 P 타입 에피를 증착시켜 P 타입 필라를 형성하는 단계;상기 필라와 소정의 간격이 떨어진 드리프트 영역 상단 좌우를 트랜치 에칭하고 산화물을 증착하여 산화물을 형성하는 단계;상기 산화물 및 상기 산화물이 형성되지 않은 드리프트 상단에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 기판의 하단에 캐소드전극을 형성하고, 상기 금속층 상단에 애노드전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성 정보통신용 아날로그 IP 기술 개발
2 산업통상자원부 서강대학교 산학협력단 기업연계형 연구개발 인력양성사업 융복합 바이오헬스케어 고급인력양성 컨소시엄