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플라즈마 합성가스 발생장치를 포함하는 환원제 공급부;상기 환원제 공급부로부터 제공된 환원제로 NOx를 포함하는 가스를 탈질 처리하는 탈질 처리부; 및탈질 처리된 가스를 배출하는 가스 배출부; 를 포함하고, 상기 환원제 공급부는, 수소 가스를 공급하고,상기 플라즈마 합성가스 발생장치는, 하나 이상의 플라즈마 수소 가스 발생기를 포함하고,상기 플라즈마 수소 가스 발생기는: 소정 주파수의 전자파를 발진하는 전자파 공급부;상기 전자파 공급부로부터 공급된 상기 전자파 및 스팀과 가스의 혼합가스로부터 플라즈마가 발생되는 방전관;상기 방전관의 하단부를 고정하는 고정부;상기 방전관에 스팀과 가스의 혼합가스를 소용돌이 형태로 주입하는 가스 공급부;상기 방전관 내부에서 생성된 상기 플라즈마에 액체, 기체 또는 이 둘의 탄화수소를 공급하는 탄화수소 공급부;상기 방전관 내부에 플라즈마 발생을 위한 초기 전자를 공급하는 점화부; 및상기 방전관에서 생성된 플라즈마와 탄화수소의 반응으로부터 합성된 합성가스를 배출하는 가스 배출부; 를 포함하고,상기 환원제 공급부는, 상기 플라즈마 수소 가스 발생기에서 생성된 수소 가스를 농축하는 WGSR 반응기(Water-gas shift reaction)를 더 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 고정부는, 상기 방전관의 하단부에 상기 방전관을 감싸는 형태로 형성되는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 가스 공급부는, 상기 고정부 내에 형성된 공급로를 포함하고,상기 공급로는, 상기 공급로의 일단이 상기 방전관의 내부와 연결되어 방전관의 내부로 혼합가스를 분사하고,상기 공급로는, 상기 방전관 내부로 스팀을 공급하는 하나 이상의 제1 공급로; 및 상기 방전관 내부로 가스를 공급하는 하나 이상의 제2 공급로;가 동일한 개수로 구성되거나 또는 하나의 공급로에 스팀 및 가스가 혼합되어 공급되는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 가스 공급부는, 상기 방전관의 상단부, 하단부 또는 이 둘에 배치되는 공급관을 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 가스 공급부는, 상기 고정부를 관통하여 방전관에 연결되는 공급관을 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 공급관은, 상기 공급관의 일단이 상기 방전관의 내부와 연결되어 방전관의 내부로 혼합가스를 분사하고, 상기 공급관은, 상기 방전관 내부로 스팀을 공급하는 제1 공급관; 및 상기 방전관 내부로 가스를 공급하는 제2 공급관;이 동일한 개수로 구성되거나 또는 하나의 공급관에 스팀 및 가스가 혼합되어 공급되는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 가스 공급부는, 공기, 산소, 질소, 및 아르곤 가스 중 1종 이상의 가스를 공급하고,상기 가스 공급부는, 100 ℃ 이상의 수증기를 공급하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 환원제 공급부는, 생성된 합성 가스로부터 불순물 및 가스를 분리하는 가스 분리기 및 상기 분리된 가스를 저장하는 가스 저장 탱크를 더 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제10항에 있어서,상기 가스 분리기는, 필터를 통하여 카본 파우더 및 수소 가스를 분리하거나 또는 사이클론으로 카본파우더 및 수소 가스를 분리하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 탈질 처리부는, 산화촉매를 더 포함하고, 상기 산화촉매는, 바나듐, 니켈, 세륨, 로듐, 백금, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐 및 텅스텐, 및 이들의 산화물 중 1종 이상을 포함하고, 상기 산화촉매는, 산화알루미늄, 제올라이트, 또는 실리카 담체에 담지된 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 환원제 공급부는 암모니아, 요소수, 및 암모니아수 중 1종 이상의 플라즈마 분해 가스를 더 공급하고,상기 플라즈마 합성가스 발생장치는, 하나 이상의 플라즈마 분해 가스발생기를 더 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템
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플라즈마를 이용하여 환원제를 획득하는 단계;상기 환원제를 NOx를 포함하는 가스에 접촉시켜 탈질 처리하는 단계; 및탈질 처리된 가스를 배출하는 단계; 를 포함하고,상기 탈질 처리하는 단계에서 반응 온도는 상온 내지 400 ℃이고, 제1항의 플라즈마를 이용한 탈질 처리 시스템을 이용하는 것인,플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법
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제15항에 있어서,상기 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법은:플라즈마를 이용하여 수소 가스를 획득하는 단계;상기 수소 가스를 NOx를 포함하는 가스에 접촉시켜 탈질 처리하는 단계; 및탈질 처리된 가스를 배출하는 단계; 를 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법
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제15항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법은:플라즈마를 이용하여 수소 가스; 및 암모니아, 요소수, 및 암모니아수 중 1종 이상의 플라즈마 분해 가스; 를 각각 획득하는 단계;상기 수소 가스; 및 암모니아, 요소수, 및 암모니아수 중 1종 이상의 플라즈마 분해 가스; 를 NOx를 포함하는 가스에 접촉시켜 탈질 처리하는 단계; 및탈질 처리된 가스를 배출하는 단계;를 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법
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제15항에 있어서,상기 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법은:플라즈마를 이용하여 수소 가스 및 암모니아, 요소수, 및 암모니아수 중 1종 이상의 플라즈마 분해 가스; 를 각각 획득하는 단계;상기 수소 가스를 NOx를 포함하는 가스에 접촉시켜 제1 탈질 처리하는 단계;상기 제1 탈질 처리하는 단계 이후에 생성된 혼합 가스에 암모니아, 요소수, 및 암모니아수 중 1종 이상의 플라즈마 분해 가스;를 접촉시켜 제2 탈질 처리하는 단계; 및 탈질 처리된 가스를 배출하는 단계; 를 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법
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제15항에 있어서,상기 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법은:플라즈마를 이용하여 암모니아, 요소수, 및 암모니아수 중 1종 이상의 플라즈마 분해 가스; 를 획득하는 단계;산화촉매의 존재 하에서 상기 플라즈마 분해가스를 NOx를 포함하는 가스에 접촉시켜 탈질 처리하는 단계; 및탈질 처리된 가스를 배출하는 단계; 를 포함하는 것인, 플라즈마를 이용한 탈질 처리 방법
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