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조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자 및 그 제조방법(p-n junction semiconductor device capable of avoiding premature breakdown voltage and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017011262
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자는, 기판과; 기판 위에 적층 형성되는 반도체 동작층을 포함하고, 반도체 동작층의 소정 부위에는 p-n 접합으로 이루어지는 소정 높이의 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부의 가장자리 면(edge surface)은 하반부가 수직면으로 이루어지고 상반부는 곡면 또는 경사면 형태로 형성되거나, 상반부가 수직면으로 이루어지고 하반부는 곡면 또는 경사면 형태로 형성된다.이와 같은 본 발명에 의하면, 반도체 소자의 가장자리 면 부분을 반곡면(half-curved) 또는 경사면(chamfered) 형태로 형성함으로써, 반도체 소자의 가장자리 면의 공핍층 두께를 벌크(bulk) 영역에 비해 상대적으로 더 두껍게 확장하여 반도체 소자의 조기 항복전압을 억제할 수 있다.또한, 반도체 소자의 가장자리 면 부분에 형성된 경사면이 5∼10°의 경사각도로 되어 있어 단차 피복이 우수한 산화 처리가 가능하며, 이에 따라 전류 붕괴 현상을 개선하는 등의 우수한 신뢰성을 가지는 반도체 소자의 제공이 가능하다.
Int. CL H01L 29/06 (2016.02.06) H01L 29/66 (2016.02.06) H01L 21/761 (2016.02.06) H01L 21/027 (2016.02.06) H01L 21/3065 (2016.02.06) H01L 21/306 (2016.02.06)
CPC H01L 29/0646(2013.01) H01L 29/0646(2013.01) H01L 29/0646(2013.01) H01L 29/0646(2013.01) H01L 29/0646(2013.01) H01L 29/0646(2013.01) H01L 29/0646(2013.01)
출원번호/일자 1020150187624 (2015.12.28)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0077924 (2017.07.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박범두 대한민국 대전광역시 중구
2 성호근 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 이근우 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 이병오 대한민국 경기경기도 수원시 영통구
5 임웅선 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 이동근 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1276760-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0026879-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0122774-74
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0374635-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0374634-32
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0599785-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자의 조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자로서,기판과; 상기 기판 위에 적층 형성되는 반도체 동작층을 포함하고,상기 반도체 동작층의 소정 부위에는 p-n 접합으로 이루어지는 소정 높이의 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부의 가장자리 면(edge surface)은 하반부가 수직면으로 이루어지고, 상반부는 곡면 또는 경사면 형태로 형성되며,상기 돌출부의 가장자리 면의 상반부에 형성되는 경사면은 5∼10°의 경사각도로 형성된 것을 특징으로 하는 p-n 접합 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 밴드갭이 크고 낮은 저항 특성을 가지는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 p-n 접합 반도체 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 밴드갭이 크고 낮은 저항 특성을 가지는 물질은 GaN, GaAs, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 반도체 소자
4 4
삭제
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반도체 소자의 조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자로서,기판과; 상기 기판 위에 적층 형성되는 반도체 동작층을 포함하고,상기 반도체 동작층의 소정 부위에는 p-n 접합으로 이루어지는 소정 높이의 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부의 가장자리 면은 상반부가 수직면으로 이루어지고, 하반부는 곡면 또는 경사면 형태로 형성되며,상기 돌출부의 가장자리 면의 하반부에 형성되는 경사면은 5∼10°의 경사각도로 형성된 것을 특징으로 하는 p-n 접합 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 기판은 밴드갭이 크고 낮은 저항 특성을 가지는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 p-n 접합 반도체 소자
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제6항에 있어서,상기 밴드갭이 크고 낮은 저항 특성을 가지는 물질은 GaN, GaAs, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 반도체 소자
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