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전압을 인가하는 외부자극을 통해 탄소 구조를 구성하는 탄소 원자 중 하나 이상이 헤테로원자로 도핑된 탄소소재를 언집핑하여 2차원 형태의 그래핀을 형성하는, 그래핀의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전압을 인가하는 외부자극은 전압을 인가한 후, 물리적 외부자극을 더 수행하는 것인 그래핀의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 물리적 외부자극은 음파, 빛에너지, 전기에너지, 외부압력 및 외부장력에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 그래핀의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 제조방법은,a) 도핑된 탄소소재를 전극에 전사한 후 열처리하여 도핑된 탄소소재를 전극에 부착하는 단계; 및b) 산화제를 포함하는 전해액에 상기 도핑된 탄소소재가 부착된 전극을 투입하고 전압을 인가하여 산화반응을 진행하는 단계;를 포함하는, 그래핀의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 제조방법은,a) 도핑된 탄소소재를 전극에 전사한 후 열처리하여 도핑된 탄소소재를 전극에 부착하는 단계;b) 산화제를 포함하는 전해액에 상기 도핑된 탄소소재가 부착된 전극을 투입하고 전압을 인가하여 산화반응을 진행하는 단계; 및c) 산화된 탄소소재에 물리적 외부자극을 가하는 단계;를 포함하는, 그래핀의 제조방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 산화제는 황산, 질산, 인산, 염산, 불산, 이들의 염 및 이들의 수용액에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 그래핀의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 산화제는 황산 또는 황산수용액인, 그래핀의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 황산수용액의 농도는 0
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 전압은 0
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제 1항에 있어서,상기 도핑된 탄소소재의 제조방법은,ⅰ) 기판 상에 금속 촉매를 증착하는 단계;ⅱ) 상기 금속 촉매 상에서 도핑된 탄소소재를 성장시키는 단계; 및ⅲ) 에칭액으로 기판을 에칭하여 도핑된 탄소소재를 분리시키는 단계;를 포함하는, 그래핀의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도핑된 탄소소재는 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무스, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 탈륨에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자가 도핑된 것인, 그래핀의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도핑된 탄소소재에 도핑된 헤테로원자는 하나 이상의 금속원소와 배위결합한 것인, 그래핀의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 금속원소는 Fe, Ni, Cu, W, V, Cr, Sn, Co, Mn, Mo, Mg, Al, Si, Zr, Ti, Ru, Pt, Ag, Au, Pd, Rh, Ir, Ta, Nb, Zn 및 Cd에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 그래핀의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도핑된 탄소소재는 전체 탄소원자 대비 헤테로원자가 0
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 탄소소재의 탄소소재는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 삼중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 극초단 탄소나노튜브에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 그래핀의 제조방법
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전압을 인가하는 외부자극을 통해 탄소 구조를 구성하는 탄소 원자 중 하나 이상이 헤테로원자로 도핑된 탄소소재를 언집핑함으로써 제조되며, 말단에 카르보닐기를 포함하는 2차원 형태의 그래핀
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제 17항에 있어서,상기 그래핀은 X선 광전자 분광 분석(XPS)에 의해 구해지는 C1s 스펙트럼에 있어서 하기 식 2 내지 5를 만족하는 것인 그래핀
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