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박막 트랜지스터 및 그의 제조방법(Thin Film Transistor and Preparation Method Thereof)

  • 기술번호 : KST2017011367
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 이동도 및 신뢰성과 함께 우수한 박막 트랜지스터 특성을 나타내는 박막 트랜지스터와 그 제조방법 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 물질로 형성된 채널층; 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층;을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 암모니아를 포함한 플라즈마로 처리된 금속 질산화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터와 그 제조방법 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2017.01.05) H01L 21/02 (2017.01.05)
CPC
출원번호/일자 1020160181984 (2016.12.29)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0080506 (2017.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150190918   |   2015.12.31
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김양수 대한민국 대전광역시 중구
3 김종헌 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1289244-56
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번호 청구항
1 1
반도체 물질로 형성된 채널층; 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층;을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 채널층은 암모니아를 포함한 플라즈마로 처리된 금속 질산화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 질산화물은 아연 질산화물 또는 인듐 질산화물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극에 대응하는 채널층을형성하는 단계 및 상기 채널층 상의 서로 마주보는 위치에 각각 접촉된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는,(A) 게이트 절연층 상에 게이트 전극에 대응하는 금속 질산화물 박막을 형성하는 단계;(B) 상기 금속 질산화물 박막을 암모니아를 포함한 플라즈마로 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항의 박막 트랜지스터를 포함하는 전자소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 전자소자는 표시장치인 것을 특징으로 하는 전자소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 스위칭소자 또는 구동소자로 사용되는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 충남대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 High-performance metal oxynitride semiconductors for next-generation display applications