맞춤기술찾기

이전대상기술

SnS 박막 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법(FORMING METHOD FOR SnS FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL BY USING THE FORMING METHOD)

  • 기술번호 : KST2017011405
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품질의 SnS 박막을 상용화에 적합한 공정으로 형성하는 방법에 관한 것으로, Sn과 S를 포함하는 전구체막을 형성하는 전구체막 형성단계; 상기 전구체막을 가열하여 Sn과 S를 반응시켜 SnS를 형성하면서 이외의 2차상은 기화시키는 단일상 형성 단계;를 포함하여 구성되고, 상기 단일상 형성 단계가, SnS는 기화하지 않고 Sn2S3와 SnS2 등의 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 수행되어 단일상의 SnS 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.본 발명은, Sn과 S을 포함하는 전구체막을 형성한 뒤에 단일상 형성 단계를 수행하여 고품질의 SnS 박막을 형성하는 방법을 제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을 상용화가 가능한 저비용의 공정으로 형성할 수 있는 뛰어난 효과를 나타낸다.또한, 독성이 없고 재료비가 저렴한 고품질의 SnS 박막을 낮은 공정비용으로 형성함으로써, SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 SnS 태양전지를 낮은 비용으로 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2016.02.05) H01L 31/18 (2016.02.05) C23C 14/14 (2016.02.05)
CPC C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01)
출원번호/일자 1020150189900 (2015.12.30)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0079396 (2017.07.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.30)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 곽지혜 대한민국 대전광역시 유성구
2 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
4 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
5 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
6 안승규 대한민국 대전광역시 유성구
7 김기환 대한민국 대전광역시 서구
8 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
9 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
10 유진수 대한민국 서울특별시 노원구
11 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
12 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
13 손지혜 대한민국 대전광역시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1289069-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0039352-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0809610-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0031194-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0031147-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0339371-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0579278-88
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.06.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0579295-54
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0449286-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Sn과 S를 포함하는 전구체막을 형성하는 전구체막 형성단계; 및상기 전구체막을 가열하여 Sn과 S를 반응시켜 SnS를 형성하면서 이외의 2차상은 기화시키는 단일상 형성 단계;를 포함하여 구성되고,상기 단일상 형성 단계가, SnS는 기화하지 않고 2차상은 기화하는 압력 및 온도 조건에서 수행되어 단일상의 SnS 박막을 형성하며,상기 전구체막에 포함된 Sn과 S의 비율이 Sn/S≥1 인 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 단일상 형성 단계가 300℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 단일상 형성 단계가 1
5 5
청구항 1에 있어서,상기 전구체막 형성단계가 200℃ 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 전구체막 형성단계가 동시진공증발 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 박막 형성방법
7 7
SnS 박막을 광흡수층으로 구비한 SnS 태양전지의 제조방법으로서,상기 SnS 박막을 형성하는 공정이 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 6 중 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 SnS 태양전지의 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한국에너지기술연구원 신재생에너지핵심기술개발사업 모듈 단가 0.3$/W 달성을 위한 저독성 범용소재 기반 차세대 박막 태양전지 개발