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{100} 결정면을 주표면으로 가지는 실리콘 웨이퍼의 (111) 결정면과 (110) 결정면의 상대적인 식각속도 차이를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 플랫존으로부터 003c#110003e# 결정방향으로 이방성 습식식각을 수행하여 홈을 형성하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층과 상기 실리콘 웨이퍼를 가열하고 냉각함으로써 상기 금속층과 상기 실리콘 웨이퍼의 열팽창계수의 차이에 의해 유발되는 응력이 상기 홈에 집중되면서 003c#110003e# 결정방향으로 크랙이 전파되어 상기 금속층 및 상기 금속층과 맞닿은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부분을 상기 실리콘 웨이퍼의 나머지 부분으로부터 분리하는 단계;를 포함하고,상기 홈을 형성하는 단계는 상기 이방성 습식식각을 수행하기 전에 상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존에 포토리소그래피 공정으로 식각차단패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 이방성 습식식각은 상기 식각차단패턴을 이용하여 수행하는, 기판의 제조 방법
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{111} 결정면을 주표면으로 가지는 실리콘 웨이퍼의 (111) 결정면과 (211) 결정면의 상대적인 식각속도 차이를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 플랫존으로부터 003c#211003e# 결정방향으로 이방성 습식식각을 수행하여 홈을 형성하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층과 상기 실리콘 웨이퍼를 가열하고 냉각함으로써 상기 금속층과 상기 실리콘 웨이퍼의 열팽창계수의 차이에 의해 유발되는 응력이 상기 홈에 집중되면서 003c#211003e# 결정방향으로 크랙이 전파되어 상기 금속층 및 상기 금속층과 맞닿은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부분을 상기 실리콘 웨이퍼의 나머지 부분으로부터 분리하는 단계;를 포함하고,상기 홈을 형성하는 단계는 상기 이방성 습식식각을 수행하기 전에 상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존에 포토리소그래피 공정으로 식각차단패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 이방성 습식식각은 상기 식각차단패턴을 이용하여 수행하는, 기판의 제조 방법
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실리콘 웨이퍼의 결정면에 따른 식각속도의 차이를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 플랫존에 홈을 형성하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층과 상기 실리콘 웨이퍼를 가열하고 냉각함으로써 상기 금속층과 상기 실리콘 웨이퍼의 열팽창계수의 차이에 의해 유발되는 응력이 상기 홈에 집중되면서 크랙이 전파되어 상기 금속층 및 상기 금속층과 맞닿은 상기 실리콘 웨이퍼의 일부분을 상기 실리콘 웨이퍼의 나머지 부분으로부터 분리하는 단계;를 포함하고, 상기 홈을 형성하는 단계는 상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존에 포토리소그래피 공정으로 식각차단패턴을 형성하는 단계 및 상기 식각차단패턴을 이용하여 이방성 습식식각을 수행하는 단계를 포함하는, 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 홈을 형성하는 단계는 실리콘 웨이퍼의 결정면에 따른 식각속도의 차이를 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존으로부터 이방성 습식식각을 수행함으로써 상기 홈을 형성하는 단계를 포함하는, 기판의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 이방성 습식식각은 KOH 식각 용액을 이용하는 습식식각으로서, 상기 실리콘 웨이퍼의 결정면에 따른 식각속도의 차이는 (111) 결정면과 (110) 결정면에 대한 식각속도의 상대적 차이 또는 (111) 결정면과 (211) 결정면에 대한 식각속도의 상대적인 차이를 포함하는, 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 (100) 결정면을 주표면으로 하는 p-타입의 실리콘 웨이퍼이며, 상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존은 (110) 면이며,상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존에 홈을 형성하는 단계;는 KOH 식각 용액에 대한 상기 실리콘 웨이퍼의 (111) 결정면과 (110) 결정면의 상대적인 식각속도 차이를 이용하여 003c#110003e# 결정방향으로 이방성 습식식각을 수행하여 노치 형태의 홈을 형성하는 단계;를 포함하는, 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 (111) 결정면을 주표면으로 하는 p-타입의 실리콘 웨이퍼이며, 상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존은 (211) 면이며,상기 실리콘 웨이퍼의 플랫존에 홈을 형성하는 단계는, KOH 식각 용액에 대한 상기 실리콘 웨이퍼의 (111) 결정면과 (211) 결정면의 상대적인 식각속도 차이를 이용하여 003c#211003e# 결정방향으로 이방성 습식식각을 수행하여 홈을 형성하는 단계를 포함하는, 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 금속층을 형성하는 단계;는 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 도금 공정으로 니켈층을 형성하는 단계;를 포함하는, 기판의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 이방성 습식식각을 수행하여 홈을 형성하는 단계;는 후속에서 분리될 상기 실리콘 웨이퍼의 일부분의 두께를 결정하게 되는 일자형의 상기 홈의 위치와 두께를 정확히 제어하기 위하여 상기 플랫존 상에 선택적으로 노출시켜 습식식각 공정을 수행할 수 있는 상기 식각차단패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 기판의 제조 방법
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